[发明专利]用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法

说明书

本发明涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物具有优异的光致抗蚀剂剥离力，并且可以在剥离过程期间抑制下部金属层的腐蚀并有效地除去氧化物。所述剥离剂组合物包含：其中氮经1至2个碳数为1至5的线性或支化烷基取代的酰胺化合物；胺化合物；极性有机溶剂；水合肼；和基于三唑的化合物。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年1月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0007112号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

本发明涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法。更特别地，本发明涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物具有优异的光致抗蚀剂剥离力并且可以在剥离过程期间抑制下部金属层的腐蚀并有效地除去氧化物。

背景技术

液晶显示装置的微电路过程或半导体集成电路的制造过程包括：在基底上形成多种下部层，例如导电金属层(例如铝、铝合金、铜、铜合金、钼、钼合金等)、或绝缘层(例如硅氧化物层、硅氮化物层、光敏丙烯酸类(photoacryl)绝缘层等)；在下部层上均匀地涂覆光致抗蚀剂；以及任选地暴露于光，从而显影以形成光致抗蚀剂图案；然后使用该光致抗蚀剂图案作为掩模对下部层进行图案化。

在图案化过程之后，进行除去保留在下部层上的光致抗蚀剂的过程，并且出于该目的，使用用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物。

先前，广泛已知并主要使用包含胺化合物、质子极性溶剂、非质子极性溶剂等的剥离剂组合物。已知这样的剥离剂组合物表现出一定程度的光致抗蚀剂除去和剥离力。

然而，在使用现有的剥离剂组合物剥离大量光致抗蚀剂的情况下，胺化合物的分解根据时间而加剧，因此使剥离力和漂洗力等随着时间的流逝而劣化。

特别地，根据剥离剂组合物的使用次数，如果一部分保留的光致抗蚀剂溶解在剥离剂组合物中，则这样的问题可能进一步加剧。

并且，在使用铜金属层作为下部层的情况下，在剥离过程期间由于腐蚀而可能产生污渍和异物，并且可能不能有效地除去铜氧化物。

在背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景技术的理解，并且因此，其可能包含不构成在该国对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

技术问题

本发明致力于提供用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物具有以下优点：优异的光致抗蚀剂剥离力，以及在剥离过程期间抑制下部金属层的腐蚀并有效除去氧化物。

技术方案

本发明的一个示例性实施方案提供了用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，所述剥离剂组合物包含：其中氮经1至2个碳数为1至5的线性或支化烷基取代的酰胺化合物；胺化合物；极性有机溶剂；水合肼(NH₂NH₂·nH₂O)；和基于三唑的化合物。

本发明的另一个示例性实施方案提供了光致抗蚀剂的剥离方法，所述方法包括以下步骤：在其上形成有下部层的基底上形成光致抗蚀剂图案；用光致抗蚀剂图案对下部层进行图案化；以及使用用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂。

在下文中，将详细解释根据本发明的具体实施方案的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法。

本文中使用的术语仅用于解释示例性实施方案，并且不旨在限制本发明。