[发明专利]一种低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金及其制备方法

权利要求书

1.一种低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金，其特征在于，所述合金的组成元素及原子百分数为：28％～32％Mn，8％～12％Cr，9％～12％Si，余量为Fe和不可避免的杂质元素；其中，所述合金中Mn、Cr、Si的总原子百分数不低于50％；所述合金中Fe和Mn的原子百分数之比不低于1.5；所述合金由100％的面心立方结构相组成。

2.一种权利要求1所述的低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括感应熔炼、均匀化退火处理、热轧处理及固溶处理步骤，

其中所述固溶处理过程是在氩气保护下经1000～1100℃保温1～2h后水冷淬火。

3.根据权利要求2所述的低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金的制备方法，其特征在于，所述制备方法中以纯度高于99.5％的纯Fe、纯Mn、纯Cr、纯Si为原料。

4.根据权利要求2所述的低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金的制备方法，其特征在于：所述感应熔炼在真空中频感应熔炼炉中进行，并采用氩气作为保护气氛。

5.根据权利要求4所述的低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金的制备方法，其特征在于：所述氩气压力为0.8×10⁵Pa，电压为380V，感应电流的频率为2500Hz。

6.根据权利要求2所述的低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金的制备方法，其特征在于：所述感应熔炼重复进行3～5次，其中每一次熔炼完成后都翻转合金铸锭以进行下一次熔炼。

7.根据权利要求2所述的低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金的制备方法，其特征在于：所述均匀化退火处理过程是在氩气保护下经1000～1100℃保温10～12h后水冷淬火。

8.根据权利要求2所述的低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金的制备方法，其特征在于：所述热轧处理是在900℃保温热透后采用双辊板带轧机多道次轧制，每道次的形变率为15～25％，且在最后一道次之前的每道次轧制完后都回炉在900℃保温5～10min，总热轧形变率为60～70％。