[发明专利]一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法在审
| 申请号： | 202110011309.0 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112768624A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 周敏;曹盛玲;王康丽;蒋凯;陶宏伟 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/66;H01M10/36 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 技术 原位 生成 金属 化合物 流体 制备 方法 | ||
1.一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，包括：
S1.将金属材料置于等离子体反应腔体中，抽真空并通入反应气体；
S2.开启等离子体放电，使反应气体与金属材料表面反应生成金属化合物；
S3.反应设定时间后，得到表面覆盖有对应金属化合物的集流体。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，金属材料为铜、镍、钛或不锈钢。
3.根据权利要求2所述的一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，金属材料的形貌为箔状、泡沫状、网状或纤维状。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，反应气体为CF4、N2、O2中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，采用的等离子体源为13.56MHz的射频源。
6.根据权利要求5所述的一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，等离子体处理功率为10-300W。
7.根据权利要求6所述的一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，反应过程中的气压为10-60Pa。
8.根据权利要求7所述的一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，设定时间为1-60min。
9.根据权利要求8所述的一种等离子体技术原位生成金属化合物的集流体制备方法，其特征在于，设定时间为10min。
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