[发明专利]用于半导体器件的擦除验证方法及半导体器件

说明书

本发明公开了一种用于半导体器件的擦除验证方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储块，所述方法包括：对所述存储块进行第一擦除操作；采用第一验证电压，对所述存储块进行第一擦除验证；若检测到所述第一擦除验证失败，则对所述存储块进行第二擦除操作；采用第二验证电压，对所述存储块进行第二擦除验证；所述第一验证电压大于所述第二验证电压，且第一验证电压大于预设验证电压。本发明能够避免擦除验证过程中HCI的发生，确保半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于半导体器件的擦除验证方法及半导体器件。

背景技术

在对半导体器件中的存储块进行擦除操作后，需向存储块中的所有存储单元对应的字线输入验证电压，以验证擦除是否成功。若存储单元输入的验证电压接近该存储单元的阈值电压，则会导致存储单元无法导通。而虚设单元输入导通电压，导致存储单元与虚设单元之间的沟道累积大量电荷，造成HCI(Hot Carrier Injection，热载流子注入效应)，进而导致虚设单元的阈值电压偏移，影响半导体器件的性能。

发明内容

本发明提供一种用于半导体器件的擦除验证方法及半导体器件，能够避免擦除验证过程中HCI的发生，确保半导体器件的性能。

本发明提供了一种用于半导体器件的擦除验证方法，所述半导体器件包括存储块，所述方法包括：

对所述存储块进行第一擦除操作；

采用第一验证电压，对所述存储块进行第一擦除验证；

若检测到所述第一擦除验证失败，则对所述存储块进行第二擦除操作；

采用第二验证电压，对所述存储块进行第二擦除验证；所述第一验证电压大于所述第二验证电压，且第一验证电压大于预设验证电压。

进一步优选地，所述方法还包括：

若检测到所述第二擦除验证失败，则对所述存储块进行第三擦除操作；

若检测到所述第二验证电压大于预设验证阈值，则采用第三验证电压，对所述存储块进行第三擦除验证；所述第三验证电压小于所述第二验证电压。

进一步优选地，所述方法还包括：

若检测到所述第二验证电压小于所述预设验证阈值，则采用所述第二验证电压，对所述存储块进行第三擦除验证。

进一步优选地，所述存储块包括多个存储单元以及与所述多个存储单元一一对应连接的多个字线；

所述采用第一验证电压，对所述存储块进行第一擦除验证的步骤，包括：

分别向所述多个存储单元对应的字线输入所述第一验证电压，以检测所述多个存储单元的阈值电压是否达到预设阈值电压；

若是，则确定所述存储块的第一次擦除验证成功；

若否，则确定所述存储块的第一次擦除验证失败。

进一步优选地，所述第一验证电压的范围为0V至1V。

进一步优选地，所述第一验证电压与所述第二验证电压的差值范围为0.2V至0.5V。

进一步优选地，所述预设验证阈值的范围为-2V至-1V。

相应地，本发明还提供了一种半导体器件，包括：

存储块；以及，

与所述存储块电性连接的控制模块，所述控制模块包括操作单元和验证单元；

所述操作单元用于对所述存储块进行第一擦除操作；

所述验证单元用于采用第一验证电压，对所述存储块进行第一擦除验证；