[发明专利]用于半导体器件的擦除验证方法及半导体器件

权利要求书

1.一种用于半导体器件的擦除验证方法，其特征在于，所述半导体器件包括存储块，所述存储块包括多个存储单元，以及位于所述多个存储单元之间的至少一个虚设单元，所述多个存储单元和所述至少一个虚设单元堆叠设置；所述方法包括：

对所述存储块进行第一擦除操作；

采用第一验证电压，对所述存储块进行第一擦除验证，所述第一验证电压使所述存储块中的所有存储单元在所述第一擦除验证中均被导通，所述至少一个虚设单元在所述第一擦除验证中被导通；

若检测到所述第一擦除验证失败，则对所述存储块进行第二擦除操作；

采用第二验证电压，对所述存储块进行第二擦除验证；所述第一验证电压大于所述第二验证电压，且所述第一验证电压大于预设验证电压。

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的擦除验证方法，其特征在于，所述方法还包括：

若检测到所述第二擦除验证失败，则对所述存储块进行第三擦除操作；

若检测到所述第二验证电压大于预设验证阈值，则采用第三验证电压，对所述存储块进行第三擦除验证；所述第三验证电压小于所述第二验证电压。

3.根据权利要求2所述的用于半导体器件的擦除验证方法，其特征在于，所述方法还包括：

若检测到所述第二验证电压小于所述预设验证阈值，则采用所述第二验证电压，对所述存储块进行第三擦除验证。

4.根据权利要求1所述的用于半导体器件的擦除验证方法，其特征在于，所述存储块还包括与所述多个存储单元一一对应连接的多个字线；

所述采用第一验证电压，对所述存储块进行第一擦除验证的步骤，包括：

分别向所述多个存储单元对应的字线输入所述第一验证电压，以检测所述多个存储单元的阈值电压是否达到预设阈值电压；

若是，则确定所述存储块的第一次擦除验证成功；

若否，则确定所述存储块的第一次擦除验证失败。

5.根据权利要求1所述的用于半导体器件的擦除验证方法，其特征在于，所述第一验证电压的范围为0V至1V。

6.根据权利要求1所述的用于半导体器件的擦除验证方法，其特征在于，所述第一验证电压与所述第二验证电压的差值范围为0.2V至0.5V。

7.根据权利要求2所述的用于半导体器件的擦除验证方法，其特征在于，所述预设验证阈值的范围为-2V至-1V。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

存储块；所述存储块包括多个存储单元，以及位于所述多个存储单元之间的至少一个虚设单元，所述多个存储单元和所述至少一个虚设单元堆叠设置；以及，

与所述存储块电性连接的控制模块，所述控制模块包括操作单元和验证单元；

所述操作单元用于对所述存储块进行第一擦除操作；

所述验证单元用于采用第一验证电压，对所述存储块进行第一擦除验证，所述第一验证电压使所述存储块中的所有存储单元在所述第一擦除验证中均被导通，所述至少一个虚设单元在所述第一擦除验证中被导通；

所述操作单元还用于若检测到所述第一擦除验证失败，则对所述存储块进行第二擦除操作；

所述验证单元还用于采用第二验证电压，对所述存储块进行第二擦除验证；所述第二验证电压小于所述第一验证电压，且所述第一验证电压大于预设验证电压。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述操作单元还用于若检测到所述第二擦除验证失败，则对所述存储块进行第三擦除操作；

所述验证单元还用于若检测到所述第二验证电压大于预设验证阈值，则采用第三验证电压，对所述存储块进行第三擦除验证；所述第三验证电压小于所述第二验证电压。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述验证单元还用于若检测到所述第二验证电压等于所述预设验证阈值，则采用所述第二验证电压，对所述存储块进行第三擦除验证。