[发明专利]固体和液体材料的蒸气输送系统在审
| 申请号: | 202080096026.4 | 申请日: | 2020-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN115104177A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
| 发明(设计)人: | 刘玉民 | 申请(专利权)人: | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 孟凡林;臧建明 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 液体 材料 蒸气 输送 系统 | ||
1.一种用于使固体或液体前体汽化的蒸气输送系统,该蒸气输送系统包括:
壳体本体,该壳体本体在其中限定了内部容积;
壳体盖,该壳体盖包括气体入口和气体出口;
多个阻流器,该多个阻流器被流体地连接至该气体入口、并且被配置为并且适于接收来自该气体入口的载气并且在该内部容积中产生气体分配管线;
至少两个隔间或通道,该至少两个隔间或通道被包含在该内部容积的下部部分中并且在其中具有该固体或液体前体,该至少两个隔间或通道被配置为并且适于允许该载气沿这些气体分配管线在该至少两个隔间或通道上经过,以与来自其中的该固体或液体前体的蒸气混合;
气体收集装置,该气体收集装置在该至少两个隔间或通道的下游、被流体地连接至该壳体盖中的气体出口,
该气体收集装置被配置为并且适于将该载气和来自该固体或液体前体的蒸气的混合物输送出该系统;以及
流量控制器,该流量控制器被流体地连接至载气源,该流量控制器被配置为并且适于控制该载气通过该气体入口进入该内部容积的进给流率,
其中,该载气沿每个气体分配管线的气体分配流率由进给到该气体入口中的该载气的进给流率控制。
2.如权利要求1所述的蒸气输送系统,进一步包括在该壳体盖的内侧的折流件,这些折流件被配置为并且适于产生湍流以使该载气和来自该固体前体的蒸气有效地混合,其中这些折流件由与该载气的流动方向垂直的、在该壳体盖的内侧的条带形杆件构成,并且这些折流件的侧视图呈锯齿形、三角形、正弦波形、或并排的半圆形。
3.如权利要求1所述的蒸气输送系统,进一步包括该内部容积中的至少两个内壁,该至少两个内壁被配置为并且适于将该内部容积分成至少三个区段,该至少三个区段包括第一区段、第二区段和第三区段,其中该第二区段邻近于该第一区段和该第三区段并且位于该第一区段与该第三区段之间。
4.如权利要求3所述的蒸气输送系统,其中,每个内壁被固定在该内部容积的底部和该内部容积的侧壁上、并且垂直于该内部容积的底部的表面和侧壁。
5.如权利要求3所述的蒸气输送系统,其中,该两个内壁的高度短于该内部容积的侧壁的高度,使得该至少三个区段通向共用区域,该共用区域在该内部容积的顶部部分中形成单个连续顶部隔间,这些气体分配管线穿过该单个连续顶部隔间。
6.如权利要求3所述的蒸气输送系统,其中,该多个阻流器和该气体收集装置分别是该第一区段和该第三区段的一部分,以从该气体入口接收该载气、在该内部容积中产生这些气体分配管线并且将该载气和来自该固体或液体前体的蒸气的混合物输送到该气体出口。
7.如权利要求3所述的蒸气输送系统,进一步包括将该第二区段分成该至少两个隔间或通道的分隔件,其中每个分隔件以大致90°的角度连接至该内部容积的该至少两个内壁和底部。
8.如权利要求7所述的蒸气输送系统,其中,每个分隔件的高度高于该至少两个内壁的高度,使得一旦将该壳体本体和该壳体盖被组装在一起,每个分隔件就能够与形成在该壳体盖的内侧的相应结构接触或接合。
9.如权利要求1所述的蒸气输送系统,其中,这些阻流器是填充有多孔材料的孔。
10.如权利要求9所述的蒸气输送系统,其中,这些孔内的多孔材料进一步被选自金属管、金属球、或金属板的金属元件包含。
11.如权利要求10所述的蒸气输送系统,其中,这些阻流器的平均大小在约1mm至约1cm的范围内。
12.如权利要求10所述的蒸气输送系统,其中,该多孔材料中的孔隙的平均孔隙大小为约1微米或更小。
13.如权利要求1至12中任一项所述的蒸气输送系统,其中,该载气沿这些气体分配管线的气体分配流率大约相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





