[发明专利]药液处理装置在审
| 申请号: | 202080093066.3 | 申请日: | 2020-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN114981922A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 出口泰纪 | 申请(专利权)人: | 东邦化成株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址: | 日本奈良县*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 药液 处理 装置 | ||
1.一种药液处理装置,其特征在于,具备:
处理槽,通过将基板浸渍于药液来对所述基板进行抗蚀剂去除处理;
多个保持部,以纵置的方式保持所述基板;
上下驱动部,单独地上下驱动所述保持部;以及
装夹部,卡脱自如地装夹所述基板,
所述上下驱动部使所述保持部在将所述基板浸渍于所述药液的浸渍位置与将所述基板从所述药液提起的非浸渍位置之间单独地上下移动,由此由所述保持部保持的所述基板被以单片式进行抗蚀剂去除处理。
2.根据权利要求1所述的药液处理装置,其特征在于,
在所述处理槽的底部配设有超声波发生器。
3.根据权利要求1或2所述的药液处理装置,其特征在于,
在所述处理槽的上部配设有朝向所述基板向下方喷出所述药液的喷嘴。
4.根据权利要求3所述的药液处理装置,其特征在于,
所述处理槽经由形成于构成所述处理槽的连通侧壁的底部的连通口与邻接的贮存槽连通。
5.根据权利要求4所述的药液处理装置,其特征在于,
与所述贮存槽邻接地配设有排出槽,所述排出槽容纳从所述贮存槽溢流出的所述药液,在所述喷嘴与所述排出槽之间形成有使所述药液循环的循环路径。
6.根据权利要求5所述的药液处理装置,其特征在于,
在所述循环路径设有过滤系统,所述过滤系统使所述药液所含的淤渣的回收对象尺寸阶段性地缩小。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的药液处理装置,其特征在于,
在所述贮存槽中,在与所述连通口相反侧的底部形成有滞留防止部。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的药液处理装置,其特征在于,
具备对所述上下驱动部和所述装夹部的各动作进行控制的控制部,
所述控制部单独地对每个所述基板控制抗蚀剂去除处理,该抗蚀剂去除处理具有以下步骤:将某所述基板载置于所述非浸渍位置的所述保持部;使载置有所述某基板的所述保持部向下移动至所述浸渍位置;将所述浸渍位置保持规定时间;使载置有所述某基板的所述保持部向上移动至所述非浸渍位置;将位于所述非浸渍位置的所述某基板装夹在所述装夹部来从所述保持部移除;以及将与所述某基板不同的另外的所述基板载置于位于所述非浸渍位置的所述保持部。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的药液处理装置,其特征在于,
所述上下驱动部以交错配置的方式设于所述处理槽。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的药液处理装置,其特征在于,
所述处理槽在俯视观察下呈扇形形状,所述上下驱动部沿着所述处理槽的外圆弧部设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东邦化成株式会社,未经东邦化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080093066.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





