[发明专利]固态加热器以及制造方法在审
| 申请号: | 202080082445.2 | 申请日: | 2020-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN114788405A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 大卫·莫雷尔;孙大伟 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H05B3/14 | 分类号: | H05B3/14;H05B1/02;C23C16/32 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 贺财俊;刘芳 |
| 地址: | 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 加热器 以及 制造 方法 | ||
1.一种固态加热器,包括:
一体式组件,具有:
第一部分,包含碳化硅;以及
第二部分,包含石墨;
其中所述第二部分形成连续导电路径;以及
电接触件,与所述连续导电路径进行电连通。
2.根据权利要求1所述的固态加热器,其中所述连续导电路径包括蛇形图案。
3.根据权利要求1所述的固态加热器,还包括设置在所述一体式组件上的涂层。
4.根据权利要求1所述的固态加热器,其中所述一体式组件的前表面及背表面是平面的。
5.一种固态加热的制造方法,包括:
对石墨组件进行机加工,以生成具有薄的部分及较厚的部分的机制石墨组件;
使所述机制石墨组件经受化学气相转换工艺,在所述化学气相转换工艺中,将一氧化硅引入到容纳所述机制石墨组件的处理室,其中所述化学气相转换工艺生成一体式组件,所述一体式组件具有其中石墨被转换成碳化硅的第一部分及其中所述石墨仍保持存在的第二部分;以及
将电接触件连接到所述第二部分。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一部分是在距所述石墨组件的表面小于扩散深度的区中生成,且其中所述第二部分包含距所述石墨组件的任一表面远于所述扩散深度的石墨。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述薄的部分的厚度小于或等于所述扩散深度的两倍,且其中所述较厚的部分的厚度大于所述扩散深度的两倍。
8.根据权利要求5所述的方法,还包括:对所述一体式组件的前表面和/或后表面进行研磨。
9.根据权利要求8所述的方法,其中在所述研磨之后,所述一体式组件的所述前表面和/或所述后表面是平面的。
10.根据权利要求5所述的方法,还包括:对所述一体式组件施加涂层。
11.根据权利要求10所述的方法,其中施加涂层包括使所述一体式组件经受化学气相沉积工艺。
12.一种制造固态加热器的方法,包括:
使石墨组件经受化学气相沉积工艺,以对所述石墨组件的表面施加碳化硅涂层;
选择性地从所述表面的一些部分移除所述碳化硅涂层,以形成碳化硅掩模;
使具有所述碳化硅掩模的所述石墨组件经受化学气相转换工艺,在所述化学气相转换工艺中,将一氧化硅引入到容纳具有所述碳化硅掩模的所述石墨组件的处理室,其中所述化学气相转换工艺生成一体式组件,所述一体式组件具有其中石墨被转换成碳化硅的第一部分及其中所述石墨仍保持存在的第二部分;以及
将电接触件连接到所述第二部分。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一部分是在不被所述碳化硅掩模覆盖的区中生成,且所述第二部分是在位于所述碳化硅掩模下方的区中形成。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括:对所述一体式组件的所述表面进行研磨,以移除所述碳化硅掩模。
15.根据权利要求12所述的方法,还包括:对所述一体式组件施加涂层。
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