[发明专利]控制装置、基片处理系统和控制方法有效
| 申请号： | 202080079771.8 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114651318B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 土屋孝文 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 装置 处理 系统 方法 | ||
1.一种控制装置，其特征在于，包括：
获取部，其从多个基片处理装置获取基片处理装置对基片的处理计划；
选择部，其基于所述多个基片处理装置的优先级，选择预定要对新的基片开始执行处理计划的预定开始基片处理装置；
计算部，其计算处理已开始的所述处理计划使用的资源与所述预定开始基片处理装置中预定开始处理计划要使用的资源的合计值，其中，所述预定开始处理计划是将要开始执行的所述处理计划；和
设定部，其在所述合计值大于规定的上限值的情况下，设定所述预定开始处理计划的开始时机，以使得所述合计值成为所述规定的上限值以下，
所述处理计划是所述基片处理装置对所述基片进行的全部处理的计划。
2.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于：
包括优先级设定部，其基于多个基片处理装置的状态来设定所述优先级。
3.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于：
所述优先级设定部降低具有警告中或维护中的处理部的基片处理装置的所述优先级。
4.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于：
所述优先级设定部提高处理前的所述基片的数量较多的所述基片处理装置的所述优先级。
5.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于：
所述优先级设定部提高处理前的所述基片的待机时间较长的所述基片处理装置的所述优先级。
6.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
权利要求1～5中任一项所述的控制装置；和
所述多个基片处理装置。
7.一种控制方法，其特征在于，包括：
获取步骤，其从多个基片处理装置获取基片处理装置对基片的处理计划；
选择步骤，其基于所述多个基片处理装置的优先级，选择预定要对新的基片开始执行处理计划的预定开始基片处理装置；
计算步骤，其计算处理已开始的所述处理计划使用的资源与所述预定开始基片处理装置中预定开始处理计划要使用的资源的合计值，其中，所述预定开始处理计划是将要开始执行的所述处理计划；和
设定步骤，其在所述合计值大于规定的上限值的情况下，设定所述预定开始处理计划的开始时机，以使得所述合计值成为所述规定的上限值以下，
所述处理计划是所述基片处理装置对所述基片进行的全部处理的计划。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
