[发明专利]半导体用黏合剂、半导体用黏合剂片及半导体装置的制造方法

说明书

公开了一种含有热固性树脂、固化剂及具有酸基的助熔剂化合物的半导体用黏合剂(adhesive)。通过以10℃/分钟的升温速度加热半导体用黏合剂的差示扫描热量测定得到的DSC曲线中的60～155℃的放热量为20J/g以下。在DSC曲线中，由固化反应引起的放热峰的起始温度为150℃以上。

技术领域

本发明涉及一种半导体用黏合剂、半导体用黏合剂片及半导体装置的制造方法。

背景技术

为了制造半导体装置，有时采用经由凸点将具有作为连接部的凸点的半导体芯片直接与配线电路基板的连接部(电极)连接的倒装芯片(flip chip)连接方式。在倒装芯片连接方式中，通常通过黏合剂形成填充半导体芯片与配线电路基板之间的间隙且密封连接部的底部填充剂(underfill)。

作为形成底部填充剂的方法，已知有在将半导体芯片与配线电路基板连接之后，将液状树脂注入半导体芯片与配线电路基板之间的间隙的方法(参考专利文献1)。也有时使用如各向异性导电性黏合膜(ACF)或非导电性黏合膜(NCF)那样的黏合膜形成底部填充剂(参考专利文献2)。

为了高功能化及高速动作，作为以最短距离连接半导体芯片之间的三维安装技术的硅贯通电极(TSV：Through Silicon Via)受到关注(参考非专利文献1)。因此，要求在维持机械强度的同时使半导体晶圆尽可能薄。为了使半导体晶圆更薄，有时进行研削半导体晶圆的背面的所谓的背面研磨。为了简化背面研磨的工序，还提出了兼备保持半导体晶圆的功能和作为底部填充材料的功能的树脂(参考专利文献3、专利文献4)。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-100862号公报

专利文献2：日本特开2003-142529号公报

专利文献3：日本特开2001-332520号公报

专利文献4：日本特开2005-028734号公报

非专利文献

非专利文献1：OKI技术审查、2007年10月/第211号、Vol.74、No.3

发明内容

发明要解决的技术课题

伴随半导体芯片的多级化，用于通过倒装芯片连接方式连接半导体芯片与配线电路基板或其他半导体芯片的黏合剂在用于连接的加热之前放置于60℃～80℃的温度区域的时间具有变长的倾向。在使经历热历程的黏合剂介在于半导体芯片与配线电路基板或其他半导体芯片之间并将它们进行连接时，有时得不到足够的连接可靠性。

因此，本发明的一方式提供一种即使在经历长时间的热历程之后，也能够通过倒装芯片连接方式以高可靠性连接半导体芯片与配线电路基板或其他半导体芯片的半导体用黏合剂。

用于解决技术课题的手段

本发明的一方式提供一种含有热固性树脂、固化剂及具有酸基的助熔剂化合物的半导体用黏合剂。通过以10℃/分钟的升温速度加热所述半导体用黏合剂的差示扫描热量测定得到的DSC曲线的60～155℃的放热量为20J/g以下。在所述DSC曲线中，由固化反应引起的放热峰的起始温度为150℃以上。

本发明的另一方式提供一种半导体用黏合剂片，该半导体用黏合剂片具备支承基材和设置于该支承基材上且由上述半导体用黏合剂构成的黏合剂层。