[发明专利]声波装置的换能器结构

权利要求书

1.一种声学装置的换能器结构(100、200、300、408、410)，所述换能器结构包括：压电层(104)，

一对叉指式梳状电极(108、110、412、414)，所述一对叉指式梳状电极包括具有节距p的多个电极装置(112_i、114_j、418、420)，

其特征在于，

所述叉指式梳状电极(108、110、412、414)的所述电极装置被嵌入所述压电层(104)中，并且

所述电极装置的声阻抗小于所述压电层的声阻抗。

2.根据权利要求1所述的换能器结构，其中，所述节距p满足由p＝λ/2给出的布拉格条件，λ是所述换能器的工作声学波长。

3.根据权利要求1或2所述的换能器结构，其中，所述电极装置(112_i、114_j、418、420)的纵横比a/p介于0.3至0.75之间，并且特别是介于0.4至0.65之间，其中，“a”为所述电极装置(112_i、114_j、418、420)的宽度，并且“p”为所述电极装置(112_i、114_j、418、420)的所述节距。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的换能器结构，其中，所述压电层被设置在基础基板(106)上。

5.根据权利要求4所述的换能器结构，所述换能器结构还包括附接层(608、706)，并且特别是二氧化硅(SiO₂)，所述附接层位于所述压电层(604、704)与所述基础基板(606、710)之间。

6.根据权利要求4或5所述的换能器结构，所述换能器结构还包括高速层(718)，所述高速层位于所述压电层(704)与所述基础基板(710)之间，其中，所述高速层是由相比于所述压电层(104)的材料和晶体取向允许更高的剪切波相速度的材料制成的。

7.根据权利要求5和6所述的换能器结构，其中，所述高速层(718)是定位在所述附接层(706)与所述基础基板(710)之间的。

8.根据权利要求4至7中的一项所述的换能器结构，所述换能器结构还包括陷阱富集层(708)，并且特别是多晶硅陷阱富集层，所述陷阱富集层位于所述压电层(704)与所述基础基板(710)之间。

9.根据权利要求7和8所述的换能器结构，其中，所述陷阱富集层(708)是定位在所述高速层(718)与所述基础基板(710)之间的。

10.根据权利要求1至9中的一项所述的换能器结构，所述换能器结构还包括覆盖层(302)，所述覆盖层位于所嵌入的电极装置(112_i、114_j、418、420)与所述压电层(104)之上。

11.根据权利要求10所述的换能器结构，其中，所述覆盖层(302)是由相比于所述压电层(104)的材料允许更高的剪切波相速度的材料制成的和/或具有相比于所述压电层(104)的晶体取向允许更高的剪切波相速度的晶体取向。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的换能器结构，所述换能器结构还包括布拉格反射镜(204)，所述布拉格反射镜位于所述压电层(104)和/或所述电极装置的下方。

13.根据权利要求4至12中的一项所述的换能器结构，其中，所嵌入的电极装置(112_i、114_j、418、420)的厚度小于或等于所述压电层(104)的厚度。

14.根据权利要求13所述的换能器结构，其中，所述电极装置的厚度t_e满足λt_e0.1*λ。