[发明专利]晶体管及形成集成电路系统的方法

说明书

晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm³内的平均晶体尺寸。公开包含方法的其它实施例。

技术领域

本文所公开的实施例涉及晶体管及形成集成电路系统的方法。

背景技术

存储器是一种类型集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可在个别存储器单元的一或多个阵列中制造。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)来写入到存储器单元或从所述存储器单元读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，并且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。每一存储器单元可通过感测线及存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长的时间段。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器耗散，且因此进行刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两个不同的可选择状态下保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个层级或状态的信息。

场效应晶体管是一种可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区间具有半导电沟道区。导电栅极邻近于沟道区，且通过薄栅极绝缘体与所述沟道区分离。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个流动到另一个。当从栅极去除电压时，基本上防止电流流过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的一部分的可逆可编程电荷存储区。除存储器电路系统之外及/或在存储器电路系统之外，场效应晶体管当然也在集成电路系统中使用。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图。

图2是根据本发明的实施例在过程中的衬底构造的部分的图解横截面图。

图3到6是根据本发明的一或多个实施例的在过程中图2的构造的图解依序横截面图。

具体实施方式

本发明的实施例涵盖形成包括一或多个晶体管的集成电路系统的方法，及与制造方法无关的一或多个晶体管。根据方法实施例制造的晶体管可具有如本文中在结构实施例中所描述的属性中的任一个。在图1中展示根据本发明的实施例的作为构造10的一部分的第一实例晶体管14。构造10包括具有导电/导体/传导、半导电/半导体/半传导或绝缘/绝缘体/绝缘(即，本文中以电气方式)材料12中的任何一或多种的基底衬底11。各种材料已经竖向形成于基底衬底11上方。材料可在图1所描绘的材料的旁边、竖向向内或竖向向外。举例来说，集成电路系统的其它部分制造或完全制造的组件可设置于基底衬底11上方、周围或内部某处。仅展示一个晶体管14，但是构造10可包括例如以包含根据本发明的一或多个晶体管的阵列制造的多个相同或不同构造晶体管。