[发明专利]太阳能电池及其制造方法

说明书

根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一铝氧化物层，第一铝氧化物层位于第一导电类型区域上，该第一导电类型区域由具有n型导电类型并且包括氢的多晶硅层组成；以及第一钝化层，该第一钝化层位于第一铝氧化物层上并且包括包含与第一铝氧化物层的材料不同的材料的第一介电层。

技术领域

本公开涉及太阳能电池及其制造方法，更具体地，涉及具有改进结构和工艺的太阳能电池及其制造方法。

背景技术

已经提出和使用了其中具有掺杂剂的半导体层形成在半导体基板的至少一个表面上并且用作导电类型区域的太阳能电池。由于太阳能电池的钝化特性(passivationcharacteristic)对效率具有很大影响，因此已经提出了用于改善太阳能电池的钝化特性的各种方法。

美国专利No.9716204公开了一种制造太阳能电池的方法，其中将收集不同载流子的第一导电类型区域和第二导电类型区域形成为各自具有掺杂剂的半导体层，并且通过氢气气氛注入和钝化氢。然而，当第一导电类型区域和第二导电类型区域由各自具有掺杂剂的半导体层形成时，与半导体基板的界面特性劣化，这可能在提高太阳能电池的效率方面具有限制。另外，当通过氢气气氛注入氢时，氢注入效应可能不是很大。另外，在电极设置在两侧的结构中，由于电极完全形成在后表面上，材料成本可能增加，并且没有设置用于改善后表面上的钝化特性的层、结构等。

发明内容

技术问题

本公开的目的在于提供一种能够提高效率的太阳能电池及其制造方法。

更具体地，本公开的目的是提供一种能够通过改进钝化结构来提高钝化特性、降低材料成本并且简化制造工艺的太阳能电池，以及用于制造该太阳能电池的方法。

特别地，本公开的目的是提供能够通过改进钝化结构来提高钝化特性、降低材料成本并且简化制造工艺的太阳能电池，以及用于根据结构中的掺杂区域和半导体层的特性来制造该太阳能电池的方法，该结构具有由半导体基板的一部分组成的掺杂区域和形成在半导体基板上的半导体层。

技术方案

根据本公开的实施方式的太阳能电池包括：第一钝化层，所述第一钝化层包括位于第一导电类型区域上的第一铝氧化物层，该第一导电类型区域由具有n型导电性并且具有氢的多晶硅层组成；以及第一介电层，该第一介电层位于第一铝氧化物层上并且包括与所述第一铝氧化物层不同的材料。在这种情况下，第一导电类型区域可以形成在半导体基板的第一表面上。还可以包括穿过第一钝化层电连接到第一导电类型区域的第一电极。

第一介电层可以包括硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物。

第一铝氧化物层的厚度可以小于第一介电层的厚度。

第一铝氧化物层中的每单位体积的氢含量可以大于第一介电层中的每单位体积的氢含量。

太阳能电池还可以包括位于第一导电类型区域和第一钝化层之间的硅氧化物层。

半导体基板的第一表面可以是半导体基板的后表面，第一电极可以包括在一个方向上延伸的多个指状电极，并且第一介电层可以用作抗反射膜。

太阳能电池还可以包括：第二导电类型区域，其形成在半导体基板的第二表面处或第二表面上并且具有p型导电性；第二钝化层，其包括位于第二导电类型区域上的第二铝氧化物层，以及位于第二铝氧化物层上并且包括与第二铝氧化物层不同的材料的第二介电层；以及第二电极，其穿过第二钝化层电连接到第二导电类型区域。

第二导电类型区域可以由构成半导体基板的一部分的掺杂区域组成，并且第一铝氧化物层和第二铝氧化物层可以具有相同的材料、成分和厚度。