[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

半导体基板；

第一导电类型区域，所述第一导电类型区域形成在所述半导体基板的第一表面上并且由具有n型导电性的多晶硅层组成；

第一钝化层，所述第一钝化层包括位于所述第一导电类型区域上并且具有氢的第一铝氧化物层以及位于所述第一铝氧化物层上并且包括与所述第一铝氧化物层不同的材料的第一介电层；以及

第一电极，所述第一电极穿过所述第一钝化层而电连接到所述第一导电类型区域。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一介电层包括硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一铝氧化物层的厚度小于所述第一介电层的厚度。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一铝氧化物层中的每单位体积的氢含量大于所述第一介电层中的每单位体积的氢含量。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

硅氧化物层，所述硅氧化物层位于所述第一导电类型区域与所述第一钝化层之间。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体基板的所述第一表面是所述半导体基板的后表面，

所述第一电极包括在一个方向上延伸的多个指状电极，并且

所述第一介电层用作抗反射膜。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

第二导电类型区域，所述第二导电类型区域形成在所述半导体基板的第二表面处或第二表面上并且具有p型导电性；

第二钝化层，所述第二钝化层包括位于所述第二导电类型区域上的第二铝氧化物层以及位于所述第二铝氧化物层上并且包括与所述第二铝氧化物层不同的材料的第二介电层；以及

第二电极，所述第二电极穿过所述第二钝化层而电连接到所述第二导电类型区域。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第二导电类型区域由构成所述半导体基板的一部分的掺杂区域组成，并且

所述第一铝氧化物层和所述第二铝氧化物层具有相同的材料、成分和厚度。

9.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

半导体基板；

第一导电类型区域，所述第一导电类型区域形成在所述半导体基板的第一表面上并且由具有第一导电类型的多晶硅层组成；

第二导电类型区域，所述第二导电类型区域形成在所述半导体基板的第二表面上并且由具有第二导电类型的掺杂区域组成；

第一钝化层，所述第一钝化层位于所述第一导电类型区域上；

第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第二导电类型区域上；

第一电极，所述第一电极穿过所述第一钝化层而电连接到所述第一导电类型区域；以及

第二电极，所述第二电极穿过所述第二钝化层而电连接到所述第二导电类型区域，

其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层各自包括位于所述第一导电类型区域或所述第二导电类型区域上的铝氧化物层和位于所述铝氧化物层上并且包括与所述铝氧化物层不同的材料的介电层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述介电层包括硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述铝氧化物层的厚度小于所述介电层的厚度。