[发明专利]一种衬底加工方法及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种衬底加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

对长晶形成的晶棒进行切割，得到多个衬底，每一个所述衬底均包括第一表面和第二表面；

对所述衬底进行表面处理；

对表面处理后的所述衬底进行退火，使所述衬底与所述表面处理剂反应，以在所述衬底表面形成改性层；

对退火后的所述衬底进行研磨。

2.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其特征在于，对所述衬底进行表面处理包括：

在所述衬底的第一表面和/或第二表面涂覆表面处理剂；

将涂覆有表面处理剂的所述衬底依次堆叠放置；

经所述衬底在100℃～200℃的温度下烘烤0～2h。

3.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其特征在于，对所述衬底进行表面处理之前，还包括以下步骤：

提供软化剂、催化剂以及防粘剂；

将所述软化剂、催化剂以及防粘剂混合均匀得到表面处理剂。

4.根据权利要求1述的衬底加工方法，其特征在于，对表面处理后的所述衬底进行退火还包括以下步骤：

将涂覆有表面处理剂的所述衬底放入加热炉；

在30℃～3000℃的温度范围内对所述衬底进行退火，退火时间为0.1h～30天。

5.根据权利要求4所述的衬底加工方法，其特征在于，对表面处理后的所述衬底进行退火还包括以下步骤：

升温：以0.5～200℃/min的升温速率，将加热炉升温至100℃～2000℃；

保温：在100～2000℃的温度范围内，保温0.1h～500h；

降温：以0.5～200℃/min的降温速率将加热炉降温至室温。

6.根据权利要求1或5所述的衬底加工方法，其特征在于，所述改性层的厚度为所述衬底厚度的0～100％。

7.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其特征在于，还包括以下步骤：

对研磨后的所述衬底进行清洗；

对清洗后的所述衬底进行铜抛和抛光。

8.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，采用权利要求1-7中任意一项所述的衬底加工方法对所述衬底进行加工；

在所述衬底的第一表面和/或第二表面形成至少一层半导体层；

对所述半导体层进行蚀刻。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述衬底的所述第一表面和/或所述第二表面形成至少一层半导体层还包括以下步骤：

在所述衬底上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上方形成有源层；

在所述有源层上方形成与所述第一半导体层的导电性相反的第二半导体层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，还包括：

分别形成与所述第一半导体层和所述第二半导体层连通的第一电极和第二电极。