[实用新型]一种可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构有效
| 申请号: | 202023279801.6 | 申请日: | 2020-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN214226888U | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
| 发明(设计)人: | 邓信甫;方超;刘大威;陈丁堃 | 申请(专利权)人: | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 沈栋栋 |
| 地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 适应 传递 广用型晶圆 机构 | ||
1.一种可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,包括第一晶圆导片传递区、晶圆清洗工艺区、晶圆干燥区和第二晶圆导片传递区,其中,所述晶圆清洗工艺区的一侧设有所述第一晶圆导片传递区,所述晶圆清洗工艺区的另一侧依次设有所述晶圆干燥区和所述第二晶圆导片传递区,所述晶圆清洗工艺区内设有若干个清洗槽,所述清洗槽的上侧设有用于夹持并传递晶圆盒的机械手。
2.如权利要求1所述的可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,还包括机械手清洗区,所述机械手清洗区设于所述晶圆清洗工艺区与所述第一晶圆导片传递区之间。
3.如权利要求1所述的可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,还包括喷气模组和喷液模组,每一所述清洗槽的一侧分别设有一所述喷液模组,每一所述清洗槽的另一侧分别设有若干所述喷气模组,且每一所述喷气模组所在位置的高度高于所述喷液模组所在位置的高度。
4.如权利要求3所述的可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,所述喷气模组的喷嘴由上至下向靠近所述清洗槽的中部的方向倾斜设置。
5.如权利要求4所述的可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,每一所述喷嘴的倾斜角度均为45°~75°。
6.如权利要求1所述的可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,每一所述清洗槽的上端面均为齿状结构。
7.如权利要求4所述的可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,若干所述喷嘴呈矩形阵列。
8.如权利要求1所述的可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,还包括供液装置,每一所述清洗槽的下侧内壁上分别设有一所述供液装置。
9.如权利要求1所述的可适应于晶圆传递的广用型晶圆传递机构,其特征在于,还包括入货窗口备载区,其中,所述第一晶圆导片传递区的一侧设有所述入货窗口备载区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





