[实用新型]一种等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括一反应腔，其特征在于：所述反应腔包括：

进气装置，用于向所述反应腔输送清洁气体；

射频电源，用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体；

清洁晶圆，具有第一直径；

静电吸盘，用于承载所述清洁晶圆，具有第二直径，所述第一直径与所述第二直径差值小于等于±0.5mm。

2.如权利要求1所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一直径与所述第二直径差值小于±0.2mm。

3.如权利要求1所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一直径和第二直径相同。

4.如权利要求1所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述静电吸盘外围设置聚焦环，所述聚焦环与所述静电吸盘之间设置第一缝隙，所述第一缝隙的宽度大于等于0.2mm。

5.如权利要求4所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述聚焦环包括第一上表面和第二上表面，所述第一上表面高于所述清洁晶圆的上表面，所述第二上表面低于或平于所述清洁晶圆的下表面。

6.如权利要求5所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述清洁晶圆位于所述静电吸盘上方时暴露出所述第一缝隙和所述第二上表面。

7.如权利要求4所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述聚焦环下方设置一插入环，所述插入环与所述静电吸盘之间设置第二缝隙，所述第二缝隙的宽度小于等于所述第一缝隙的宽度。

8.如权利要求7所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述聚焦环的下表面和所述插入环的上表面设置相互配合的台阶。

9.如权利要求1所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述清洁晶圆的材料包括硅、碳化硅和介电材料中的至少一种。

10.如权利要求1所示的等离子体处理装置，其特征在于：所述静电吸盘包括静电吸附层、基座及连接所述静电吸附层和所述基座的结合层，所述结合层外围环绕设置一圈保护环。