[实用新型]一种离心清洗花篮有效
| 申请号: | 202023082012.3 | 申请日: | 2020-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN213958929U | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波 |
| 地址: | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 离心 清洗 花篮 | ||
本申请实施例中提供了一种离心清洗花篮,属于硅片清洗装置技术领域,具体用于批量清洗硅片,包括框底,框底上垂直固定有多个沿框底的中心周向分布的定位装置,定位装置包括内定位组件和外定位组件,内定位组件和外定位组件均沿框底的中心周向分布且间隔设置,用于将硅片沿环形定位在内定位组件和外定位组件之间。通过本申请的处理方案,减少硅片干燥后残留在硅片上的化学物质。
技术领域
本申请涉及硅片清洗装置的领域,尤其是涉及一种离心清洗花篮。
背景技术
异质结电池包括制绒清洗步骤,硅片通过清洗后需要对硅片表面的残留的水滴和化学试剂进行去除。通常是将硅片放入放置框中进行清洗和晾干,例如主要使用带有密排卡槽的花篮装硅片,硅片在花篮里平行排列。放置框中的硅片排列密集、距离较近,两个硅片之间可能非常接近影响干燥过程,因此会造成硅片表面上残留较多的水珠,导致水珠干燥后有化学成分残留在硅片上,影响以硅片为基底制成的电池片的质量。
实用新型内容
有鉴于此,本申请提供一种离心清洗花篮,解决了现有技术中硅片干燥后残留化学成分较多的问题,提高硅片的干燥效果。
本申请提供的一种离心清洗花篮采用如下的技术方案:
一种离心清洗花篮,用于批量清洗硅片,包括框底,所述框底上垂直固定有多个沿框底的中心周向分布的定位装置,所述定位装置包括内定位组件和外定位组件,所述内定位组件和所述外定位组件均沿框底的中心周向分布且间隔设置,用于将硅片沿环形定位在所述内定位组件和所述外定位组件之间。
通过采用上述技术方案,硅片放置在离心清洗花篮中,且硅片呈环形固定在框底上;将放置有硅片的离心清洗花篮放置在离心机装置上,离心清洗花篮随离心机装置转动,硅片上的水受到离心力迅速的脱离硅片,减少硅片上的残留的水珠,从而减少硅片干燥后残留在硅片上的化学物质。
可选的,所述内定位组件包括内定位槽,所述外定位组件包括与所述内定位槽相对的外定位槽,所述内定位槽和所述外定位槽分别用以与硅片竖直方向的不同侧边形成卡接。
通过采用上述技术方案,内定位槽和外定位槽对硅片竖直方向的侧边形成卡接,从而将硅片稳定在离心清洗花篮中。
可选的,所述内定位组件包括内圆弧墙和内凸起,所述内圆弧墙固定在所述框底上,所述内凸起与所述内圆弧墙的外凸面固定连接形成所述内定位槽;
所述外定位组件包括外圆弧墙和外凸起,所述外圆弧墙和所述内圆弧墙同心设置,且所述外圆弧墙的半径大于所述内圆弧墙的半径,所述外凸起与所述外圆弧墙的内凹面固定连接形成所述外定位槽,所述内凸起和所述外凸起分别用以与硅片相对的侧面抵接。
通过采用上述技术方案,内圆弧墙的外凸面和内凸起之间的区域为内定位槽,外圆弧墙的内凹面和外凸起之间的区域为外定位槽,硅片通过内凸起和外凸起卡在内圆弧墙和外圆弧墙之间,从而使硅片稳定的处于离心清洗花篮中。
可选的,所述内凸起和外凸起分别为垂直于框底的内定位杆和外定位杆,所述内定位杆与内圆弧墙的外凸面连接,所述外定位杆与外圆弧墙的内凹面连接。
通过采用上述技术方案,增大内凸起和外凸起与硅片的接触面积,减少内凸起和外凸起对硅片的压强,减小离心过程中,内凸起和外凸起对硅片造成的划伤。
可选的,所述内定位槽的槽底和所述外定位槽的槽底的连线,与所述内定位槽对应内圆弧墙的半径方向的夹角范围为30-60°。
通过采用上述技术方案,使硅片与内圆弧墙半径方向的夹角在30-60°之间,有利于硅片上的水滴在离心力作用下脱离硅片,提高干燥效果。
可选的,所述内圆弧墙和所述外圆弧墙均为弧形网板,所述弧形网板的底边与所述框底固定连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





