[实用新型]掉电保护电路及其掉电检测电路

权利要求书

1.一种掉电检测电路，其特征在于，其包括：

检测端，其与闪存电路的电源电压相连；

输出端Write，其与所述闪存电路相连；

所述掉电检测电路用于通过检测所述闪存电路的电源电压来判断所述闪存电路是否掉电，当所述电源电压小于第一翻转阈值时，所述掉电检测电路判断为产生掉电，并通过输出端Write输出第一电平，通知所述闪存电路禁止写操作；当所述电源电压大于第二翻转阈值时，所述掉电检测电路判断为未掉电，并通过输出端Write输出第二电平，通知所述闪存电路允许写操作，

其还包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、第一晶体管和第二晶体管，

所述电阻R2的一端与所述掉电检测电路的检测端相连，其另一端与第一连接节点A相连；所述第一晶体管的第一连接端经所述电阻R3与所述第一连接节点A相连，其第二连接端与接地端相连，其控制端与其第一连接端相连；所述电阻R4的一端与所述掉电检测电路的检测端相连，其另一端与第二连接节点B相连；第二晶体管的第一连接端与第二连接节点B相连，其控制端与所述第一连接节点A相连，其第二连接端与接地端相连；所述第二连接节点B与所述掉电检测电路的输出端Write相连，

其还包括电阻R1和开关，

所述电阻R1的一端与所述掉电检测电路的检测端相连，其另一端和所述电阻R2的一端相连；

所述开关的一端与所述电阻R1的一端相连，其另一端与所述电阻R1的另一端相连，当所述掉电检测电路的输出端Write输出第一电平时，所述开关关断；当所述掉电检测电路的输出端Write输出第二电平时，所述开关导通。

2.根据权利要求1所述的掉电检测电路，其特征在于，

所述第一晶体管和第二晶体管为NMOS晶体管MN1和MN2，

所述第一晶体管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管MN1的漏极、源极和栅极；

所述第二晶体管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管MN2的漏极、源极和栅极。

3.根据权利要求2所述的掉电检测电路，其特征在于，

所述NMOS晶体管MN1的宽长比大于NMOS晶体管MN2的宽长比；

所述NMOS晶体管MN2的栅源电压和MN1的栅源电压之差ΔVgs为正温度系数电压；

所述NMOS晶体管MN1的阈值电压Vth为负温度系数电压。

4.根据权利要求1所述的掉电检测电路，其特征在于，

所述第一晶体管和第二晶体管为NPN双极型晶体管NPN1和NPN2，

所述第一晶体管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NPN双极型晶体管NPN1的集电极、射极和基极；

所述第二晶体管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管MN2的漏极、源极和栅极。

5.根据权利要求4所述的掉电检测电路，其特征在于，

所述NPN双极型晶体管NPN1的发射极面积大于NPN双极型晶体管NPN2的发射极面积；

所述NPN双极型晶体管NPN2的基极-发射极电压和NPN1的基极-发射极电压之差ΔVbe为正温度为正温度系数电压；

所述NPN双极型晶体管NPN1的基极-发射极电压Vbe1为负温度系数电压。

6.根据权利要求1所述的掉电检测电路，其特征在于，

所述开关为PMOS晶体管MP1，

所述开关的一端、另一端和控制端分别为PMOS晶体管MP1的源极、漏极和栅极。

7.根据权利要求6所述的掉电检测电路，其特征在于，其还包括第一反相器和第二反相器，

所述第一反相的输入端与所述第二连接节点B相连，其输出端与所述掉电检测电路的输出端Write相连；

所述第二反相的输入端与所述掉电检测电路的输出端Write相连，其输出端与PMOS晶体管MP1的栅极相连。