[实用新型]一种开关数字移相器有效

专利信息
申请号: 202022942107.1 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN214125257U 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 黄家乐;杨仲盼;诸小胜;胡建飞 申请(专利权)人: 思诺威科技(无锡)有限公司
主分类号: H03H11/22 分类号: H03H11/22;H01Q3/38
代理公司: 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 代理人: 张明明
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关 数字 移相器
【说明书】:

实用新型公开了一种开关数字移相器,属于电子电路设计技术领域。本实用新型的开关数字移相器,采用串联的双极型晶体管构造180°移相单元的开关电路,改善180°移相单元的线性度,使得180°移相单元可以布置在移相器的第一级别,其余移相单元也采用双极型晶体管作为开关,可以按照任意顺序级联于180°移相单元之后,并且在其余移相单元之间级联隔离器,能够降低干扰,在面向卫星通信、5G通信、相控阵系统等应用领域时,能够显著改善高频移相损耗高、移相单元线性度差以及互相干扰等缺陷。

技术领域

本实用新型属于电子电路设计技术领域,更具体地,涉及一种开关数字移相器。

背景技术

相控阵技术在无线通信以及雷达中的应用越来越广泛,已经成为该领域研究的热点。移相器是相控阵雷达中的关键电路,其性能对整个雷达系统起着至关重要的作用。

按照相位是否可以连续可调,移相器通常可以分为模拟式以及数字式两种。数字式由于其具有工作稳定,不受外部环境影响等优点,在相控阵雷达中得到广泛应用。相比于成本高昂的砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等工艺, BiCMOS(Bipolar CMOS)工艺具有低成本、低功耗、高良率、可大规模生产、可利用CMOS数字电路集成等优势,特别适用于移动通信中低成本、低功耗的应用,因此研究基于BiCMOS工艺的移相器设计有着非常重要的意义。

现有技术中,数字移相器基本分为:反射移相器,矢量合成移相器,开关移相器。其中,反射移相器存在不易实现360°移相,而且随着移相范围变大,输出信号变化大的问题。矢量合成移相器可以应用在宽带电路中,但一般会使用有源可变增益放大器(VideoGraphics Array,VGA)来改变I路和Q路的型号幅度,由于VGA较差的线性度,极大地损害了移相器的线性度。开关型移相器由多个不同的移相单元构成,例如:5.625°、11.25°、22.5°、45°、90°和180°等,其结构简单、线性度良好,普遍用于单片集成电路中。但是现有的开关型移相器仍存在以下缺点:

(1)多比特移相单元级联时,各级的移相路径和参考路径的开关态会改变阻抗,对前后级造成干扰,导致移相器性能下降;

(2)移相器中,各移相单元均包含开关器件,且均为无源有损耗电路;在标准CMOS工艺或其他传统工艺中,多使用场效应晶体管作为开关,例如 MOS管。因此存在开关损耗大问题,多级级联后不利于大规模相控阵系统的低功耗设计;

(3)180°移相单元的线性度差,为获得好的线性度,必须放在整体移相器的最后级;造成移相器中各个移相级排布策略的灵活性变差,不利于减小各级间干扰。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术所存在的不足,而提出了一种开关数字移相器,采用串联的双极型晶体管构造180°移相单元的开关电路,改善 180°移相单元的线性度,使得180°移相单元可以布置在移相器的第一级别,其余移相单元也采用双极型晶体管作为开关,可以按照任意顺序级联于180°移相单元之后,并且在其余移相单元之间级联隔离器,能够降低干扰,在面向卫星通信、5G通信、相控阵系统等应用领域时,能够显著改善高频移相损耗高、移相单元线性度差以及互相干扰等缺陷。

本实用新型提出如下技术方案。

一种开关数字移相器,包括:180°移相单元、5.625°移相单元、11.25°移相单元、22.5°移相单元、45°移相单元、90°移相单元和n个隔离器;

180°移相单元布置在开关数字移相器的输入端;

5.625°移相单元、11.25°移相单元、22.5°移相单元、45°移相单元、90°移相单元按照任意顺序级联并且连接于180°移相单元之后;

任意一个隔离器均级联于180°移相单元之后,并且任意一个隔离器按照任意顺序级联在5.625°移相单元、11.25°移相单元、22.5°移相单元、45°相移单元和 90°相移单元之间。

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