[实用新型]晶圆托盘组件和等离子体加工设备有效
| 申请号: | 202022765835.X | 申请日: | 2020-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN213278041U | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 张彬彬;苏财钰;张涛;苟先华;肖峰 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67;H01J37/20;H01J37/32 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
| 地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 托盘 组件 等离子体 加工 设备 | ||
本实用新型涉及一种晶圆托盘组件及等离子体加工设备,晶圆托盘组件包括托盘、放置平台和扩散件,放置平台设置在托盘上,放置平台设有第一数量的冷却气体通道;扩散件设置在放置平台上,并包括相背的第一表面和第二表面,第一表面开设有第一数量的第一通气孔,第二表面开设有第二数量的第二通气孔,第二数量大于第一数量,扩散件内还设有容腔,第一通气孔和第二通气孔均与容腔连通,第一通气孔与冷却气体通道对接,第二表面与一晶圆接触。能使得第二通气孔流出的冷却气体更为均匀,也可覆盖晶圆的更大面积,从而能对晶圆进行均匀的散热,晶圆局部冷却均匀,提高晶圆温度均匀性,进而提高等离子工艺的均匀性。
技术领域
本实用新型涉及等离子体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆托盘组件和等离子体加工设备。
背景技术
在目前发光二极管(Light Emitting Diode,LED)、半导体等中的等离子体制造技术领域,通常使用晶圆托盘作为承载晶圆的载体,以达到温度控制、提高制造效率、传送晶圆的目的。晶圆被放置在晶圆托盘上,然后放入等离子体腔室中进行工艺处理。
在工艺过程中,等离子体中带电离子会对晶圆表面进行轰击从而造成温度升高,此时通常会利用冷却气体通入晶圆底部以冷却晶圆,但目前的晶圆托盘结构难以对晶圆进行均匀的散热,造成晶圆局部冷却不均匀、晶圆温度均匀性降低,进而影响等离子工艺的均匀性。
因此,如何对晶圆进行均匀的散热是亟需解决的问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种晶圆托盘组件和等离子体加工设备,旨在解决如何对晶圆进行均匀的散热的问题。
一种晶圆托盘组件,包括:
托盘;
放置平台,设置在所述托盘上,所述放置平台设有第一数量的冷却气体通道;以及
扩散件,设置在所述放置平台上,并包括相背的第一表面和第二表面,所述第一表面开设有所述第一数量的第一通气孔,所述第二表面开设有第二数量的第二通气孔,所述第二数量大于所述第一数量,所述扩散件内还设有容腔,所述第一通气孔和所述第二通气孔均与所述容腔连通,所述第一通气孔与所述冷却气体通道对接,所述第二表面与一晶圆接触。
通过设置扩散件,在扩散件的第一表面开设第一数量的第一通气孔,第二表面开设第二数量的第二通气孔,并通过容腔连通第一通气孔和第二通气孔,供应到冷却气体通道的冷却气体通过第一通气孔流入容腔,在容腔均匀分散后再通过第二通气孔通入到晶圆的表面,由于冷却气体在容腔进行了再次均匀,并且通过设置第二数量大于第一数量,能使得第二通气孔流出的冷却气体更为均匀,也可覆盖晶圆的更大面积,从而能对晶圆进行均匀的散热,晶圆局部冷却均匀,提高晶圆温度均匀性,进而提高等离子工艺的均匀性。
可选的,所述第一数量大于等于1,所述第二数量大于等于2,且所述第二数量的所述第二通气孔在所述第二表面均匀布置。通过设置第一数量大于等于,第二数量大于等于,能使得冷却气体的供应线路简化,加快冷却气体的供应速度,提高对晶圆的冷却散热效率,并且第二通气孔能对应到晶圆的尽可能大的面积,增大冷却均匀性。
可选的,所述第二数量的所述第二通气孔在所述第二表面呈环形阵列地排布,并自所述第二表面的中心向四周呈放射状。可使得第二通气孔在第二表面分布均匀,对应的可对晶圆进行均匀的冷却散热。
可选的,所述第二通气孔的孔径小于所述第一通气孔孔径。第一通气孔的孔径更大些,能加大经冷却气体通道流到扩散件的容腔的冷却气体的流量,而第二通气孔的孔径更小些,能使得容腔经第二通气孔流到第二表面,也即晶圆表面的冷却气体的流速更快,可加快晶圆的冷却速度。
可选的,所述晶圆托盘组件还包括密封圈,所述密封圈设置在所述放置平台,并围设在所述扩散件的外周,所述密封圈用于与所述晶圆连接以密封。设置密封圈,从而将放置平台和晶圆之间的扩散件完全密封,防止冷却气体泄漏到进行等离子体工艺的腔室中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





