[实用新型]一种刻蚀装置有效
| 申请号: | 202022724211.3 | 申请日: | 2020-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN213278029U | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 曹泽域 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影;李红标 |
| 地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 | ||
1.一种刻蚀装置,其特征在于,包括:
刻蚀槽;
离子吸附膜,所述离子吸附膜设在所述刻蚀槽中;
储槽,所述储槽与所述刻蚀槽连通;
循环泵,所述循环泵的进口与所述储槽连通,所述循环泵的出口与所述刻蚀槽连通。
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀槽的侧壁上设有通孔,所述储槽与所述刻蚀槽通过所述通孔连通。
3.根据权利要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀槽的第一侧壁与第二侧壁上分别设有所述通孔,所述第一侧壁与所述第二侧壁相对设置;
所述第一侧壁上的所述通孔位于所述离子吸附膜的第一端在所述第一侧壁上的正投影上,所述第二侧壁上的所述通孔位于所述离子吸附膜的第二端在所述第二侧壁上的正投影上。
4.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,还包括:
限位轴,所述限位轴设在所述刻蚀槽中,所述限位轴与所述刻蚀槽的底壁间隔开,所述离子吸附膜上与所述刻蚀槽的底壁对应的区域位于所述刻蚀槽的底壁与所述限位轴之间。
5.根据权利要求4所述的刻蚀装置,其特征在于,所述限位轴具有多个,多个所述限位轴沿所述刻蚀槽的长度方向间隔开设置。
6.根据权利要求4所述的刻蚀装置,其特征在于,还包括:
发送轴,所述离子吸附膜的第一端与所述发送轴连接;
接收轴,所述离子吸附膜的第二端与所述接收轴连接。
7.根据权利要求6所述的刻蚀装置,其特征在于,所述发送轴、所述接收轴与所述限位轴相互平行。
8.根据权利要求6所述的刻蚀装置,其特征在于,所述发送轴与所述接收轴位于所述刻蚀槽的外部。
9.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,还包括:
第一管路,所述第一管路的第一端与所述储槽连通,所述第一管路的第二端与所述循环泵的进口连通;
第二管路,所述第二管路的第一端与所述刻蚀槽连通,所述第二管路的第二端与所述循环泵的出口连通。
10.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,还包括:
承载架,所述承载架设在所述刻蚀槽中,所述离子吸附膜上与所述刻蚀槽的底壁对应的区域位于所述刻蚀槽的底壁与所述承载架之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





