[实用新型]一种SiC双沟槽型MOSFET器件有效
| 申请号： | 202022709828.8 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN213816160U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 卢小东 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 沟槽 mosfet 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC双沟槽型MOSFET器件，所述器件的有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、n+衬底、n-漂移层、p基区、n+层、栅极、绝缘层以及源极；其特征在于，在原胞结构中设置有两个沟槽，两个沟槽在有源区为对称结构。
2.根据权利要求1所述的SiC双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽下的p+区与所述源极及所述p基区电连通。
3.根据权利要求1所述的SiC双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽的沟槽底部的p型掺杂区与所述p基区通过沟槽的侧壁掺杂进行电连通。
4.根据权利要求1所述的SiC双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述n-漂移层与所述p基区之间设置有电流分散区。
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