[实用新型]一种内部补偿电路

说明书

本实用新型涉及显示器补偿电路技术领域，特别涉及一种内部补偿电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、电容C1、电容C2和发光二极管OLED，晶体管T3、晶体管T4和晶体管T6均为多晶硅薄膜晶体管且均设置于基板与介质层之间，晶体管T1、晶体管T2和晶体管T5均为氧化物薄膜晶体管且均设置于介质层上方，这样设计的内部补偿电路可补偿Vth漂移，改善了由Vth漂移引发的不良问题；这样设计的补偿电路架构可减少Pixel所占面积，增加解析度，提高PPI，改善显示效果。

技术领域

本实用新型涉及显示器补偿电路技术领域，特别涉及一种内部补偿电路。

背景技术

当今科技发展，人们生活水平进步，对显示器的面板要求变得更高，需要面板厂商进一步提升显示器的显示质量，要提高显示器的质量，提高解析度是关键，为了在有限的空间内尽可能做高解析度，需要每个Pixel(像素)所占面积更小；对于OLED(英文全称为Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)面板来说，面内2T1C(两个TFT和一个电容)Pixel电路会受到Vth(阈值电压)漂移的影响导致面板发光亮度不均匀，影像显示效果，补偿电路可提升面板显示效果，而为了达到更好的补偿效果，补偿电路会有多个TFT(英文全称为Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)，但是TFT过多会使Pixel所占面积增大，进而导致面板容纳的Pixel数量减少，即解析度变低，无法满足高解析度的要求。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种内部补偿电路。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种内部补偿电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、电容C1、电容C2和发光二极管OLED，所述晶体管T3、晶体管T4和晶体管T6均为多晶硅薄膜晶体管且均设置于基板与介质层之间，所述晶体管T1、晶体管T2和晶体管T5均为氧化物薄膜晶体管且均设置于介质层上方；

所述晶体管T1的栅极接第一扫描信号，所述晶体管T1的源极接数据信号，所述晶体管T1的漏极分别与电容C1的一端和晶体管T2的源极电连接，所述晶体管T2的栅极接第二扫描信号，所述晶体管T2的漏极分别与晶体管T3的源极和电容C2的一端电连接，所述晶体管T3的栅极接第三扫描信号，所述晶体管T3的漏极分别与晶体管T4的栅极和晶体管T5的源极电连接，所述晶体管T4的漏极接电源信号，所述晶体管T4的源极分别与晶体管T6的源极和电容C2的另一端电连接，所述晶体管T5的栅极接第二扫描信号，所述晶体管T6的漏极与发光二极管OLED的阳极电连接，所述晶体管T6的栅极接第二扫描信号。

本实用新型的有益效果在于：

本方案设计的晶体管T3、晶体管T4和晶体管T6均为多晶硅薄膜晶体管且均设置于基板与介质层之间，晶体管T1、晶体管T2和晶体管T5均为氧化物薄膜晶体管且均设置于介质层上方，这样设计的内部补偿电路可补偿Vth漂移，改善了由Vth漂移引发的不良问题；这样设计的补偿电路架构可减少Pixel所占面积，增加解析度，提高PPI，改善显示效果。

附图说明

图1为根据本实用新型的一种内部补偿电路的结构示意图；

图2为根据本实用新型的一种内部补偿电路的架构分层示意图；

图3为根据本实用新型的一种内部补偿电路的架构分层示意图；

图4为根据本实用新型的一种内部补偿电路的波形图；

图5为根据本实用新型的一种内部补偿电路的T1阶段的结构示意图；

图6为根据本实用新型的一种内部补偿电路的T2阶段的结构示意图；

图7为根据本实用新型的一种内部补偿电路的T3阶段的结构示意图；