[实用新型]一种高速开关结构有效
| 申请号： | 202022643858.3 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN213583804U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;鞠建宏;倪胜中 | 申请（专利权）人： | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 开关 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高速开关结构，其特征在于，包括：P型衬底、浅槽隔离及深槽环，
所述P型衬底上设置有P型衬底有源引出端以及深N阱隔离边界，所述浅槽隔离设置于所述P型衬底有源引出端的内侧，所述深槽环设置于所述浅槽隔离的内侧；
其中，所述深槽环内部包含有所述深N阱隔离边界，且所述深槽环内侧设置有深N阱隔离有源区引出端。
2.根据权利要求1的所述一种高速开关结构，其特征在于，所述深N阱隔离有源区引出端内侧设置有P型体区和深N阱隔离边界；
其中，所述P型体区和深N阱隔离的边界的内侧还依次包括：P型体区的有源引出端、源有源区和漏有源区以及多晶硅栅极。
3.根据权利要求1所述的一种高速开关结构，其特征在于，所述深槽环的深度为5-120μm，深槽环的宽度为5-50μm。
4.根据权利要求3所述一种高速开关结构，其特征在于，所述深槽环的侧壁与深槽环底部夹角在90-135°，所述深槽环侧壁与深槽环顶部硅水平表面夹角也在90-135°。
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