[实用新型]基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路

说明书

一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极，当电源E反接时，N沟道MOS管会关断，电路回路切断，从而实现了防反接保护功能；本实用新型电路简单、元器件数量较少、导通关断内阻较小、增加了可模块化的功能，有效的减少了二极管压降过大时，会造成电源功率的损失以及电压降低的情况，能够替用户减少较多的损失。

技术领域

本实用新型涉及一种电源防反接电路，具体为一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，属于电源保护技术领域。

背景技术

当今社会中小型设备已经充斥在人们的生活当中，供电源的便捷更换是小型设备的一大优点，但是在日常生活中，用户在没有分清楚电池极性的情况下盲目的加入供电源会有可能导致电源的反接。电源反接的危害在日常生活中最直接的就是导致负载及用电器的损坏以及部分元器件的烧毁，并且在负载功率较大的情况下容易发生火灾隐患。

目前市面上一般都是针对于负载进行的反接保护，而对于电源模块来说，通常是使用串联一个二极管或者二极管桥来达到电源反接时电路关断的目的，但是当二极管压降过大时，会造成电源功率的损失以及电压的降低。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本实用新型提供一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，能够解决电源部分由于串联二极管或者二极管桥造成的功率损耗及电压降低的问题，在最大限度上避免电源的功率损失及电压降低，且能够保证直流低压电源反接时负载的安全。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极。

作为本实用新型的进一步改进，还包括电阻R，电阻R连接在P沟道MOS管的栅极与电源E的负极之间。

作为本实用新型的进一步改进，P沟道MOS管的型号为AO3409，N沟道MOS管的型号为IRLR7843。

与现有技术相比，本实用新型电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极，当电源E反接时，N沟道MOS管会关断，电路回路切断，从而实现了防反接保护功能；本实用新型电路简单、元器件数量较少、导通关断内阻较小、增加了可模块化的功能，有效的减少了二极管压降过大时，会造成电源功率的损失以及电压降低的情况，能够替用户减少较多的损失。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理框图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图1所示，一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极。

本实用新型还包括反接保护电阻R，电阻R连接在P沟道MOS管的栅极与电源E的负极之间，可以进一步起到防反接保护的作用。