[实用新型]基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路有效
| 申请号： | 202022564804.8 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN214045012U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈泉江;宋靖男;刘伊博;王鹏;李保忠 | 申请（专利权）人： | 洛阳智能农业装备研究院有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12;H02H11/00 |
| 代理公司： | 洛阳启越专利代理事务所(普通合伙) 41154 | 代理人： | 吴楠 |
| 地址： | 471000 河南省洛阳市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 场效应 沟道 组合 直流 低压 电源 反接 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，其特征在于，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极。
2.根据权利要求1所述的基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，其特征在于，还包括电阻R，电阻R连接在P沟道MOS管的栅极与电源E的负极之间。
3.根据权利要求2所述的基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，其特征在于，P沟道MOS管的型号为AO3409，N沟道MOS管的型号为IRLR7843。
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