[实用新型]高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构

权利要求书

1.一种高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，包括漏极金属（1）、位于漏极金属（1）上的第一导电类型衬底（2）及位于第一导电类型衬底（2）上的第一导电类型外延层（3），在所述第一导电类型外延层（3）内设置第二导电类型柱（4），在相邻的第二导电类型柱（4）之间设置第一导电类型柱（5），在器件中心区设有有源区（001），在所述有源区（001）外围设有过渡区（003），在所述过渡区（003）外围设有终端区（002）；

在所述终端区（002）内，在第一导电类型外延层（3）的上方设有场氧层（13），在场氧层（13）的上方靠近过渡区（003）的位置处设有栅极总线多晶硅（14），在栅极总线多晶硅（14）的上方设有绝缘介质层（11），在靠近所述过渡区（003）的绝缘介质层（11）的上方设有源极金属（12）；

在所述有源区（001）内，在第二导电类型柱（4）的上方设有第二导电类型体区（6），在第二导电类型体区（6）内设有第一导电类型源区（8），在第一导电类型柱（5）的上方设有栅氧层（9），在栅氧层（9）的上方设有栅极多晶硅（10），在栅极多晶硅（10）与栅氧层（9）的上方设有绝缘介质层（11），在绝缘介质层（11）的上方设有源极金属（12），源极金属（12）完全覆盖有源区（001）的上表面，源极金属（12）通过通孔与第一导电类型源区（8）以及第二导电类型体区（6）欧姆接触；其特征是：在所述有源区（001）内，在对应相邻的第二导电类型体区（6）之间并在同一条第一导电类型柱（5）的顶部呈间隔地设有块状的第二导电类型第一阱区（15）；在对应第二导电类型体区（6）的正下方的第二导电类型柱（4）的顶部内设有第二导电类型第二阱区（7）；

在所述过渡区（003）内，在第二导电类型柱（4）的上方设有第二导电类型体区（6），在第二导电类型体区（6）内设有第一导电类型源区（8），在第一导电类型柱（5）的上方设有栅氧层（9），在栅氧层（9）的上方设有栅极多晶硅（10），在栅极多晶硅（10）与栅氧层（9）的上方设有绝缘介质层（11），在绝缘介质层（11）的上方设有源极金属（12），源极金属（12）完全覆盖过渡区（003）的上表面，源极金属（12）通过通孔与第一导电类型源区（8）以及第二导电类型体区（6）欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，其特征是：在所述有源区（001）内，在同一条第一导电类型柱（5）的顶部，相邻的第二导电类型第一阱区（15）的中心间距大于等于3um。

3.根据权利要求1所述的高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，其特征是：在所述有源区（001）内，在第二导电类型柱（4）延伸的方向上，第二导电类型第一阱区（15）的长度大于等于2um。

4.根据权利要求1所述的高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，其特征是：在所述有源区（001）内，在每条第一导电类型柱（5）的顶部均设置有所述的第二导电类型第一阱区（15）。

5.根据权利要求1所述的高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，其特征是：在所述有源区（001）内，若干第一导电类型柱（5）的顶部设置有所述的第二导电类型第一阱区（15）。

6.根据权利要求1所述的高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，其特征是：在所述有源区（001）内，第二导电类型第二阱区（7）的掺杂浓度高于第二导电类型柱（4）的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，其特征是：在所述有源区（001）内，在对应第二导电类型体区（6）的正下方的部分或者全部第二导电类型柱（4）的顶部内设有所述的第二导电类型第二阱区（7）。

8.根据权利要求1所述的高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构，其特征是：对于N型功率半导体器件，第一导电类型为N型导电，第二导电类型为P型导电；对于P型功率半导体器件，第一导电类型为P型导电，第二导电类型为N型导电。