[实用新型]一种压下式位移传感器有效

专利信息
申请号: 202022528629.7 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN213335945U 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 蒋永玉;钱晓健;薛龙;宗逸帆 申请(专利权)人: 扬州东博电子科技有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02
代理公司: 扬州云洋知识产权代理有限公司 32389 代理人: 于长青
地址: 225000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 压下 位移 传感器
【权利要求书】:

1.一种压下式位移传感器,其特征在于,包括;

外壳,该外壳包括上壳体及下壳体,所述上壳体与所述下壳体拼合有一容纳电子元件的腔室;

接收部,其位于所述外壳内,包括一下压柱,该下压柱的一侧设置有磁性元件,另一侧设置有电路板,该电路板上设置有霍尔元件,所述下压柱的顶部设置有外露于上壳体的连杆,底部设置有与下壳体设置的复位压簧;以及

输出部,其位于接收部的一侧,并通过连接器接入外壳。

2.根据权利要求1所述的一种压下式位移传感器,其特征在于:所述下壳体上形成有避让连接器的通路。

3.根据权利要求1所述的一种压下式位移传感器,其特征在于:所述下壳体上形成有与复位压簧匹配的导向柱。

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