[实用新型]一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置

权利要求书

1.一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置，其特征在于分为特征曲线测量模块和实时监测模块；具体包括温箱实验单元，驱动单元，保护单元，小电流测试单元，功率循环单元，数据采集分析单元，待测单芯片压接型IGBT器件单元；

所述特征曲线测量模块和实时检测模块共用驱动单元，保护单元，小电流测试单元，数据采集分析单元，待测单芯片压接型IGBT器件单元；

所述所述待测单芯片压接型IGBT器件单元设有栅极引出端、集电极引出端、发射极引出端、压力调节装置。

2.如权利要求1所述的一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置，其特征在于：所述特征曲线测量模块包括温箱实验单元，驱动单元，保护单元，小电流测试单元，数据采集分析单元，待测单芯片压接型IGBT器件单元；

所述待测单芯片压接型IGBT器件单元置于温箱实验单元内；所述驱动单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元栅极引出端、发射极引出端连接；所述保护单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元集电极引出端、发射极引出端连接；所述小电流测试单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元集电极引出端、发射极引出端连接；所述数据采集分析单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元集电极引出端、发射极引出端连接。

3.如权利要求1所述的一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置，其特征在于：所述单芯片压接型IGBT器件栅极-发射极端接入15V常开驱动电压，主电路通入100mA测试用小电流，主电路串联有整流二极管IN5818和负载电阻R1，所述压接型IGBT器件集电极-发射极端与电压表相连。

4.如权利要求1所述的一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置，其特征在于：所述实时监测模块包括功率循环单元，驱动单元，保护单元，小电流测试单元，数据采集分析单元，待测单芯片压接型IGBT器件单元；

所述功率循环单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元集电极引出端、发射极引出端连接；所述驱动单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元栅极引出端、发射极引出端连接；所述保护单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元集电极引出端、发射极引出端连接；所述小电流测试单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元集电极引出端、发射极引出端连接；所述数据采集分析单元与待测单芯片压接型IGBT器件单元集电极引出端、发射极引出端连接。

5.如权利要求1所述的一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置，其特征在于：单芯片压接型IGBT器件栅极-发射极端接入15V脉冲驱动电压，单芯片压接型IGBT器件不断导通-关断，主电路通入100mA测试用小电流，主电路通入可调电压源，主电路串联有整流二极管IN5818和负载电阻R2，所述压接型IGBT器件集电极-发射极端与电压表相连。