[实用新型]—种新型忆阻器

权利要求书

1.一种新型忆阻器，包括下电极（2）、忆阻层（3）和上电极（4），其特征在于：所述上电极（4）固定在忆阻层（3）的顶部表面，所述下电极（2）固定在忆阻层（3）的底部表面，所述忆阻层（3）包括顶层电极材料（6）、钨氧化物层（7）、氮氧化钛层（8）和底层电极材料（9），所述顶层电极材料（6）、钨氧化物层（7）、氮氧化钛层（8）和底层电极材料（9）由上至下依次堆叠，所述下电极（2）的底部表面覆盖设置有垫层（1），所述上电极（4）的顶部表面覆盖设置有保护层（5）。

2.根据权利要求1所述的—种新型忆阻器，其特征在于：所述钨氧化物层（7）的厚度为100～1000纳米，所述氮氧化钛层（8）的厚度为100～1000纳米。

3.根据权利要求1所述的—种新型忆阻器，其特征在于：所述顶层电极材料（6）的材料为氮化钛、氮钽钛、钛或碲，所述顶层电极材料（6）厚度为100～1000纳米。

4.根据权利要求1所述的—种新型忆阻器，其特征在于：所述底层电极材料（9）的材料为铂、金、镍或重掺杂硅，所述底层电极材料（9）厚度为100～1000纳米。

5.根据权利要求1所述的—种新型忆阻器，其特征在于：所述保护层（5）的厚度为500～1200纳米，所述保护层（5）的外形尺寸与上电极（4）的外形尺寸为一比一。

6.根据权利要求1所述的—种新型忆阻器，其特征在于：所述垫层（1）的厚度为500～1200纳米，所述垫层（1）的外形尺寸与下电极（2）的外形尺寸为一比一。