[实用新型]一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片

权利要求书

1.一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，其特征在于，包括：

第一p型重掺杂区(12)；

耗尽层(1)，形成于所述第一p型重掺杂区上；

深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；

n型硅体(10)，横向设置于所述耗尽层内且位于所述深p型沟道上方；

间隔排列在所述n型硅体上方且位于耗尽层内的第一n型重掺杂区(2)、p型重掺杂区(3)、第二n型重掺杂区(4)；

p型掺杂区(5)，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；

第三n型重掺杂区(6)，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；

阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。

2.根据权利要求1所述的硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，其特征在于，还包括：二氧化硅层(9)，设置于所述耗尽层的上表面。

3.根据权利要求1所述的硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，其特征在于，所述深p型沟道通过在所述耗尽层内注入p型杂质形成。

4.根据权利要求1所述的硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，其特征在于，所述n型硅体通过在所述耗尽层内注入n型杂质形成。