[实用新型]一种晶圆厚度自动检测装置有效
| 申请号: | 202022143245.3 | 申请日: | 2020-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN213301155U | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
| 发明(设计)人: | 胡剑 | 申请(专利权)人: | 苏州汉立光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G01B21/08 | 分类号: | G01B21/08 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 厚度 自动检测 装置 | ||
本实用新型公开了一种晶圆厚度自动检测装置,包括基台、位于所述基台上的X轴模组、能够沿所述X轴模组长度方向进行运动的Y轴模组以及能够沿所述Y轴模组长度方向进行运动的测量头;所述基台上设置有真空吸盘,所述X轴模组与所述Y轴模组均为直线驱动模组,所述测量头通过连接块与所述Y轴模组的运动端连接,所述测量头为非接触式激光测量头,所述测量头与所述真空吸盘位置对应。本实用新型在基台、X轴模组、Y轴模组以及测量头的配合作用下,实现了对晶圆厚度的快速检测,能够在不接触晶圆的情况下完成对晶圆厚度的测量,保证产品不受损坏,真空吸盘能够使晶圆平整的吸附在吸盘表面上,减小了测量误差。
技术领域
本实用新型属于精密测量技术领域,尤其涉及一种晶圆厚度自动检测装置。
背景技术
晶圆,尤其是半导体硅晶圆,是一种以单晶硅作为衬底的,通过化学气相沉积技术或光刻显影技术在其表面形成所得导电电路,其主要制作流程为:拉晶得到晶圆棒,然后进行切片,研磨,晶圆蚀刻,抛光,切割(切割一般分为金刚石刀轮切割或激光切割)、检测分选。其中,晶圆厚度的偏差,直接会影响到晶圆蚀刻已经蚀刻后的切割效果和品质,所以在晶圆研磨抛光后必须对其进行厚度及平面翘曲度检测,在晶圆进行蚀刻加工后,表面存在相应导电电路,在进行相应检测时候不允许对产品表面有接触,这就要求进行非接触式检测,同时检测精度需要达到微米级。
传统的测量方式为接触式测量,这种测量方式并不适用于晶圆厚度的检测因此需要一种晶圆厚度自动检测装置。
实用新型内容
本实用新型克服了现有技术的不足,提供一种晶圆厚度自动检测装置,以解决现有技术中存在的问题。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:一种晶圆厚度自动检测装置,包括基台、位于所述基台上的X轴模组、能够沿所述X轴模组长度方向进行运动的Y轴模组以及能够沿所述Y轴模组长度方向进行运动的测量头;所述基台上设置有真空吸盘,所述X轴模组与所述Y轴模组均为直线驱动模组,所述测量头通过连接块与所述Y轴模组的运动端连接,所述测量头为非接触式激光测量头,所述测量头与所述真空吸盘位置对应。
本实用新型一个较佳实施例中,所述X轴模组包括X轴驱动电机、位于所述X轴驱动电机转轴端的X轴丝杆以及能够沿所述X轴丝杆长度方向进行运动的X轴运动座,所述Y轴模组一端通过连接座与所述X轴运动座连接。
本实用新型一个较佳实施例中,所述基台上设置有X轴导轨,所述连接座与所述X轴导轨配合。
本实用新型一个较佳实施例中,所述基台上设置有侧方导轨,所述Y轴模组远离所述X轴模组一端通过安装座与所述侧方导轨配合。
本实用新型一个较佳实施例中,所述Y轴模组包括Y轴安装台、位于所述Y轴安装台一端的Y轴驱动电机、位于所述Y轴驱动电机转轴端的Y轴丝杆以及能够沿所述Y轴丝杆长度方向进行运动的Y轴运动座,所述测量头通过所述连接块与所述Y轴运动座连接。
本实用新型一个较佳实施例中,所述Y轴安装台上设置有Y轴导轨,所述Y轴运动座通过滑块与所述Y轴导轨配合。
本实用新型一个较佳实施例中,所述真空吸盘为真空陶瓷吸盘。
本实用新型一个较佳实施例中,所述基台为花岗石台面。
本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷,本实用新型具备以下有益效果:
本实用新型在基台、X轴模组、Y轴模组以及测量头的配合作用下,实现了对晶圆厚度的快速检测,能够在不接触晶圆的情况下完成对晶圆厚度的测量,保证产品不受损坏,真空吸盘能够使晶圆平整的吸附在吸盘表面上,减小了测量误差。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明;
图1为本实用新型优选实施例的整体结构示意图;
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