[实用新型]一种PVD载板有效
| 申请号: | 202021931808.9 | 申请日: | 2020-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN213184328U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 傅松楠;罗骞;宋广华;倪鹏玉;杨与胜 | 申请(专利权)人: | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/072 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 362000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 pvd 载板 | ||
本实用新型公开了一种PVD载板,所述PVD载板包括平面板,设在平面板上有镂空凹槽,设在凹槽内有支撑电池片的边框,所述边框四个倒角处的宽度设计比边框宽。本实用新型通过将PVD载板镂空凹槽内的边框四个倒角处的宽度设计成比边框,有效改善电池热斑问题,保证电池组件的稳定输出。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种PVD载板。
背景技术
通过PVD载板压框方式沉积TCO导电膜的方式,可以较为简单的实现双面透明导电薄膜的沉积并使硅片上下绝缘隔离,有着高效益、益于自动化等优点,备受HIT异质结电池行业的青睐。
但目前的应用下,载板镂空凹槽内边框的宽度设计是一致的,这样的设计方式,电池四个倒角位置仍然因为容易绕镀造成该位置的侧面有轻微联通,形成一些缺陷态结构,而在实际生产中,也确实发现电池热斑容易出现在电池四个倒角位置。
通过扩大载板整个边框的宽度设计,自然可以改善电池四个倒角处的绕镀缺陷,但过度的压框宽度势必会降低异质结电池的光生电流输出,从而没有最大化发挥出异质结电池双面发电的优势。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种PVD载板。
本实用新型提供了一种能改善电池热斑问题的PVD载板,包括平面板,设在平面板上有镂空凹槽,设在凹槽内有支撑电池片的边框,所述边框四个倒角处的宽度比边框宽。
优选的,所述平面板为金属平面板或石英平面板,厚度3-10毫米。
优选的,所述凹槽为准方形状或方形状,深度0.5-2毫米,凹槽数量1-100个。
优选的,支撑边框四周宽度0.5-1毫米,四个倒角宽度1-3毫米。
本实用新型的有益效果:本实用新型将PVD载板镂空凹槽内的边框四个倒角处的宽度设计成比边框宽。这样在沉积TCO导电膜过程中,倒角处因遮挡范围较大,可以有效地遏制该处的绕镀问题,从而改善了该处的热斑问题,又最大化地保留住电池的光电转换效率。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为本实用新型的PVD载板俯视图;
图2为本实用新型的PVD载板斜视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,本实用新型提供了一种PVD载板,包括平面板1,设在平面板1上的镂空凹槽2,设在凹槽2内的支撑电池片的边框3,所述的边框四个倒角处4的宽度比边框宽。
其中,所述平面板1为金属平面板或石英平面板,厚度3-10毫米。
所述凹槽2为准方形状,方形状等,深度0.5-2毫米,数量1-100个。
所述边框3为金属或石英,其中边框的宽度为0.5-1毫米,倒角的宽度为1-3毫米;图2所示的为新型的PVD载板斜视图。边框四个倒角处的宽度设计比边框宽0.5-2毫米,电池的倒角不再出现超高温,温度较为均匀地分布在整张电池表面。
本实用新型通过PVD载板1镂空凹槽2内的边框四个倒角4处的宽度设计成比边框3宽,从而降低了电池倒角处因容易产生绕镀而形成的缺陷态问题,规避了因电池倒角产生超高温的热斑温度而破坏电池的风险,由此来改善电池的热斑问题,并且该新型实用的设计方式基本不会影响电池的光电转换效率,适用于太阳能电池沉积TCO导电膜的大规模自动化量产中。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建钧石能源有限公司,未经福建钧石能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021931808.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





