[实用新型]一种副边禁止的控制电路有效
| 申请号: | 202021829937.7 | 申请日: | 2020-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN213027826U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 陈朋飞;董亚周;高麟飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市振华微电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
| 代理公司: | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人: | 张广兴 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 禁止 控制电路 | ||
1.一种副边禁止的控制电路,其特征在于,包括变压器、第一副边电路、第二副边电路,所述变压器包括原边绕组X1-X2、第一副边绕组Y1-Y2、第二副边绕组Y3-Y4,第一副边绕组Y1-Y2耦接所述第一副边电路,第二副边绕组Y3-Y4耦接所述第二副边电路;
其中,所述第一副边电路包括MOS管Q2、二极管D2、电阻R5,所述MOS管Q2的栅极与所述电阻R5的输出端、所述二极管D2的正极连接,所述二极管D2的正极连接INH端;
所述第二副边电路包括稳压电路、二极管D3、电容C6,所述电容C6与所述稳压电路并联,所述稳压电路的输入端连接所述二极管D3的输出端;
所述电阻R5将所述稳压电路的VE端耦接到所述MOS管Q2的栅极。
2.根据权利要求1所述的副边禁止的控制电路,其特征在于,所述稳压电路包括三极管Q3、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C7、二极管U4,所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R6的输入端,所述三极管Q3的发射极连接所述电阻R7的输入端,所述电容C7的输出端、所述电阻R7的输出端均连接所述电阻R8的输入端,所述电阻R8的输出端连接所述二极管U4的正极,所述二极管U4的负极连接所述三极管Q3的基级。
3.根据权利要求1所述的副边禁止的控制电路,其特征在于,所述第二副边电路包括电容C3、电容C2、二极管D1,所述二极管D1正极连接所述第二副边绕组Y3-Y4,所述二极管D1负极与所述MOS管Q2的漏极、所述电容C2的输入端连接,所述电容C2的输出端连接输出地输出地GNDo,所述电容C3的输入端连接二极管D2的负极,所述电容C3的输出端连接输出地输出地GNDo。
4.根据权利要求3所述的副边禁止的控制电路,其特征在于,所述第二副边电路包括电容C4,所述电容C4的输入端连接MOS管Q2的源极,所述电容C4的输出端连接输出地输出地GNDo。
5.根据权利要求1所述的副边禁止的控制电路,其特征在于,所述副边禁止的控制电路还包括原边电路,所述原边电路的输出端连接所述原边绕组X1-X2,所述原边电路的输入端连接所述MOS管Q2的漏极。
6.根据权利要求5所述的副边禁止的控制电路,其特征在于,所述原边电路包括MOS管Q1、电阻R1,所述MOS管Q1的漏极连接所述原边绕组X1-X2,所述MOS管Q1的源极连接电阻R1的输入端,所述电阻R1的输出端接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市振华微电子有限公司,未经深圳市振华微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021829937.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:抛投装置与无人机
- 下一篇:吸嘴提手联动式饮水杯盖





