[实用新型]一种晶圆加热装置有效
| 申请号: | 202021818370.3 | 申请日: | 2020-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN212967615U | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
| 发明(设计)人: | 姬煜;赵通 | 申请(专利权)人: | 江苏无恙半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人: | 涂柳晓 |
| 地址: | 221300 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 加热 装置 | ||
本实用新型公开了一种晶圆加热装置,包括底座,所述底座的上端固定连接有箱体,所述箱体的外壁固定连接有保温层,所述保温层的上端固定连接有电机,所述电机的一端延伸设置有转轴,所述转轴贯穿箱体和保温层固定连接有支撑杆,所述支撑杆的底端固定连接有液压缸,所述液压缸的一端设置有液压杆,所述液压杆的一端固定连接有放置盘,所述放置盘的内部固定连接有加热管,所述加热管的内侧设置有放置腔,所述箱体的内部底端固定连接有支撑架,所述支撑架的上端固定连接有加热板,所述加热板的内部设置有散热孔。本实用新型中,加热管对晶圆的四周加热,电机带动放置盘旋转,使晶圆受热均匀,液压缸带动放置盘上下移动,使晶圆处于合适的加热位置。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆,目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
现有的在对于晶圆的加热过程中,大都是直接将晶圆放置在加热装置中进行加热处理,这样的加热方法虽然可以实现对晶圆的加热处理,但是在加热的过程中,晶圆各位置所受到的温度不尽相同,这样的情况下就会导致晶圆的受热不均,进而不方便加热完成后的晶圆的下一步加工,另外,晶圆的各部位需要的温度也是不相同的,不同的温度会使其受热状态不同,这样加热完成后的效果也是不同的。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种晶圆加热装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:一种晶圆加热装置,包括底座,所述底座的上端固定连接有箱体,所述箱体的外壁固定连接有保温层,所述保温层的上端固定连接有电机,所述电机的一端延伸设置有转轴,所述转轴贯穿箱体和保温层固定连接有支撑杆,所述支撑杆的底端固定连接有液压缸,所述液压缸的一端设置有液压杆,所述液压杆的一端固定连接有放置盘,所述放置盘的内部固定连接有加热管,所述加热管的内侧设置有放置腔,所述箱体的内部底端固定连接有支撑架,所述支撑架的上端固定连接有加热板,所述加热板的内部设置有散热孔。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述底座的底端固定连接有固定筒,所述固定筒的底端设置有减震伸缩杆。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述转轴的外壁设置有密封垫,所述密封垫贯穿箱体和保温层固定连接有电机。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述箱体的一侧设置有铰链,所述箱体通过铰链转动连接有箱门。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述箱门的外壁设置有密封圈,所述密封圈贯穿箱门固定连接有箱体。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述放置盘的内部固定连接有支撑台,所述支撑台的上端固定连接有连接杆,所述连接杆的一侧固定连接有固定盘。
本实用新型具有如下有益效果:
1、本实用新型中,通过将晶圆放置在放置盘内部,接着在放置盘的内部安装加热管可以便于对晶圆的边缘进行加热,避免了从底部加热导致的边缘加热不均匀,电机带动放置盘的旋转,可以使放置盘内部的晶圆受热均匀,液压缸带动放置盘进行上下移动,可以使放置盘靠近或远离下方的散热孔,让晶圆的加热处于一个合适的温度。
2、本实用新型中,在箱体的外部安装保温层,可以保证箱体内部的温度不流失,使晶圆的加热效率最大化,箱体的一侧安装箱门是为了便于对晶圆的收取,放置盘的内部安装固定盘,可以避免放置盘在旋转时,晶圆的晃动从而对晶圆产生损坏以及晶圆的受热不均。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





