[实用新型]一种基于MOSFET的功率驱动电路

说明书

本实用新型涉及电子技术领域，具体公开了一种基于MOSFET的功率驱动电路，包括依次电连接的半桥放大电路、信号变换电路和全桥放大电路。本实用新型通过半桥放大电路和全桥放大电路可将信号放大到大功率电子设备末端电路驱动所需电压，且充分利用半桥放大电路和全桥放大电路的优点；同时，信号变换电路将方波变换为正弦波，使得全桥放大电路的MOSFET功率管栅极输入的信号是正弦波，这样会有利于MOSFET功率管的寿命，因为方波容易出现前后尖峰脉冲对MOSFET功率管造成冲击，严重会导致MOSFET功率管烧坏，正弦波过渡平缓不会出现这一问题。

技术领域：

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种基于MOSFET的功率驱动电路。

背景技术：

驱动电路，位于主电路和控制电路之间，是用来对控制电路的信号进行放大的中间电路(即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管)，称为驱动电路。驱动电路的作用：将控制电路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率晶体管—开关功率放大作用。

驱动电路的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。

对于一些大功率电子设备应用场合，需要较高的驱动信号，才能使得末端电路工作，比如电机、广电设备，一般需要上百伏的驱动电压，因此驱动电路就要有足够的放大能力，一般的基于三极管的放大电路不能满足需求，主要是三极管耐压不够，且工作效率不如MOSFET。因此，亟待设计一种基于MOSFET的功率驱动电路，以解决大功率电子设备末端电路驱动的问题。

实用新型内容：

本实用新型的目的在于提供一种基于MOSFET的功率驱动电路，以解决一般的基于三极管的放大电路不能满足大功率电子设备末端电路驱动的需求的问题。

本实用新型由如下技术方案实施：一种基于MOSFET的功率驱动电路，包括依次电连接的半桥放大电路、信号变换电路和全桥放大电路；

所述半桥放大电路包括变压器T1和MOSFET功率管Q1、Q2，所述变压器T1初级通过电阻R6连接输入信号，所述变压器T1包括第一次级、第二次级两个次级，所述变压器T1第一次级一端通过电阻R1连接MOSFET功率管Q1的栅极，所述变压器T1第一次级另一端连接MOSFET功率管Q1的源极，所述MOSFET功率管Q1的栅极与源极之间并联反向串联的稳压二极管D1、D2，所述变压器T1第二次级一端通过电阻R2连接MOSFET功率管Q2的栅极，所述变压器T1第二次级另一端连接MOSFET功率管Q1的源极和地，所述MOSFET功率管Q2的栅极与源极之间并联反向串联的稳压二极管D3、D4，所述MOSFET功率管Q1的源极连接MOSFET功率管Q2的漏极，所述MOSFET功率管Q1的漏极连接电源VCC，所述MOSFET功率管Q1的源极以及MOSFET功率管Q2的漏极连接信号变换电路输入端；

所述信号变换电路包括依次串联的电阻R5、电容C1、电感L1和电容C2；

所述全桥放大电路包括变压器T2、T3以及MOSFET功率管Q3、Q4、Q5、Q6，所述变压器T2、T3初级一端均连接信号变换电路的输出端，所述变压器T2包括第一次级、第二次级两个次级，所述变压器T2、T3初级另一端接地；

所述变压器T2的第一次级并联反向串联的稳压二极管D5、D6，所述变压器T2的第二次级并联反向串联的稳压二极管D7、D8，且变压器T2的第一次级的两端分别连接MOSFET功率管Q3的栅极和源极，变压器T2的第二次级的两端分别连接MOSFET功率管Q4的栅极和源极，所述MOSFET功率管Q3的漏极接地，所述MOSFET功率管Q3的源极和MOSFET功率管Q4的漏极均连接信号输出端VOUT一端，所述MOSFET功率管Q4的源极还连接负电源-DC和电容C3、C4的正极，所述电容C3、C4的负极接地；