[实用新型]像素电路及显示装置有效

专利信息
申请号: 202021498190.1 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN212276788U 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 王选芸;戴超 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 电路 显示装置
【说明书】:

本申请提供一种像素电路及显示装置,像素电路包括:有机发光二极管;驱动晶体管,驱动晶体管的输出端与有机发光二极管的阳极电连接;补偿晶体管,补偿晶体管的第一端与驱动晶体管的输出端连接,补偿晶体管的第二端与驱动晶体管的控制端电连接;初始化晶体管,初始化晶体管的输入端与初始化信号线连接,初始化晶体管的输出端与补偿晶体管的第二端连接,且初始化晶体管的输出端与驱动晶体管的控制端电连接;以及阳极复位晶体管,阳极复位晶体管的输入端与驱动晶体管的输出端以及补偿晶体管的第一端连接,阳极复位晶体管的输出端与有机发光二极管的阳极连接。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电路及显示装置。

背景技术

请参阅图1,其为传统单个像素的像素电路的等效电路图。单个像素的像素电路包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、阳极复位晶体管T7、存储电容器C以及有机发光二极管OLED。驱动晶体管T1的控制端与存储电容器C的第一端、补偿晶体管T3的第一端以及初始化晶体管T4的第一端连接,驱动晶体管T1的第一端通过第一发光控制晶体管T5连接至第一电源电压端ELVDD,驱动晶体管T1的第二端通过第二发光控制晶体管T6连接至有机发光二极管OLED的阳极。开关晶体管T2的第一端连接数据信号端Data,开关晶体管T2的第二端连接驱动晶体管T1的第一端,开关晶体管T2的控制端连接第n扫描信号端Scan(n),n为大于或等于2的整数。补偿晶体管T3的控制端连接第n扫描信号端Scan(n),补偿晶体管T3的第一端与驱动晶体管T1的控制端连接,补偿晶体管T3的第二端与驱动晶体管T1的第二端连接。初始化晶体管T4的控制端与第n-1扫描驱信号端Scan(n-1)连接,初始化晶体管T4的第一端与驱动晶体管T1的控制端连接,初始化晶体管T4的第二端与初始化信号端Vint连接。第一发光控制晶体管T5的控制端和第二发光控制晶体管T6的控制端均与发光控制信号端EM连接。阳极复位晶体管T7的控制端与第n扫描信号端Scan(n)连接,阳极复位晶体管T7的第一端与有机发光二极管OLED的阳极连接,阳极复位晶体管T7的第二端与初始化信号端Vint连接。有机发光二极管OLED的阴极与第二电源电压端ELVSS连接。其中,驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6以及阳极复位晶体管T7均为P型且具有低温多晶硅有源层的薄膜晶体管,低温多晶硅薄膜晶体管存在一个致命弱点就是漏电流较大。在有机发光二极管OLED发光以显示低灰阶时,有机发光二极管OLED的阳极通过关闭的阳极复位晶体管T7分流会出现低灰阶显示亮度不均问题。

因此,有必要提出一种技术方案以解决有机发光二极管OLED显示时通过关闭的阳极复位晶体管T7分流导致低灰阶显示亮度不均的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种像素电路及显示装置,以改善有机发光二极管发光显示低灰阶由于阳极分流导致的亮度不均问题。

为实现上述目的,本申请提供一种像素电路,所述像素电路包括:

有机发光二极管;

驱动晶体管,所述驱动晶体管的输出端与所述有机发光二极管的阳极电连接;

补偿晶体管,所述补偿晶体管的第一端与所述驱动晶体管的输出端连接,所述补偿晶体管的第二端与所述驱动晶体管的控制端电连接;

初始化晶体管,所述初始化晶体管的输入端与初始化信号线连接,所述初始化晶体管的输出端与所述补偿晶体管的第二端连接,且所述初始化晶体管的输出端与所述驱动晶体管的控制端电连接;以及

阳极复位晶体管,所述阳极复位晶体管的输入端与所述驱动晶体管的输出端以及补偿晶体管的第一端连接,所述阳极复位晶体管的输出端与所述有机发光二极管的阳极连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021498190.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top