[实用新型]相变存储器、电子系统和电压调节器

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

多个相变存储器单元的阵列，其中通过施加置位电流达第一间隔，存储器单元能够从具有低电导率的非晶态改变为具有高电导率的多晶态；

地址解码器，被配置用于接收地址信号并且选择所述多个存储器单元的所述阵列中的子区域，所选择的所述子区域具有给定数目比特的数据信号；以及

写入电路，包括：

控制电路，所述控制电路被配置用于接收所述数据信号，并且针对所选择的所述子区域中的每个存储器单元，确定所述数据信号的相应比特是否指示所述存储器单元将从所述非晶态改变为所述多晶态；

一个或多个驱动电路，所述一个或多个驱动电路经由经调节的电压供电，并且被配置用于向将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元施加所述置位电流达所述第一间隔；以及

电压调节器，包括：

用于接收供电电压的正输入端子和负输入端子、以及用于向所述一个或多个驱动电路提供所述经调节的电压的正输出端子和负输出端子；

电容器，所述电容器被连接在所述正输出端子和所述负输出端子之间；

输出级，所述输出级包括多个分支，其中每个分支包括电压发生器，所述电压发生器被连接在所述正输入端子和所述正输出端子之间，其中每个电压发生器被配置用于根据驱动信号和所述经调节的电压而生成可变电流，并且其中每个电压发生器根据相应的使能信号被选择性地激活；以及

调节电路，所述调节电路被配置用于以如下方式生成用于所述电压发生器的驱动信号：将所述正输出端子和所述负输出端子之间的电压调节到所需值，

其中所述控制电路被配置用于：

确定将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目；以及

根据将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目来生成所述使能信号。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述输出级的分支的数目对应于预定系数乘以所述数据信号的预定比特数。

3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述预定系数等于1。

4.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述一个或多个驱动电路被配置用于向将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元施加电流，所述电流在第二间隔内，根据划分信号，从所述置位电流减小到零。

5.根据权利要求4所述的相变存储器，其特征在于，根据将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目来生成所述使能信号包括以如下方式生成所述使能信号：使得第一数目的所述电压发生器在所述第一间隔期间被激活，并且第二可变数目的所述电压发生器在所述第二间隔期间被激活，其中所述第一数目对应于所述预定系数乘以将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目，并且其中所述第二可变数目根据所述第一数目和所述划分信号而被确定。

6.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，根据将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目来生成所述使能信号包括以如下方式生成所述使能信号：使得第一数目的所述电压发生器在所述第一间隔期间被激活，并且其中所述第一数目对应于预定系数乘以将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目。

7.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述预定系数等于1。

8.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述一个或多个驱动电路被配置用于向将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元施加电流，所述电流在第二间隔内，根据划分信号，从所述置位电流减小到零。

9.根据权利要求8所述的相变存储器，其特征在于，根据将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目来生成所述使能信号包括以如下方式生成所述使能信号：使得第二可变数目的所述电压发生器在所述第二间隔期间被激活，所述第二可变数目根据所述第一数目和所述划分信号而被确定。