[实用新型]存储单元和存储阵列

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括：位线、隧道结和四个存取晶体管；

各所述存取晶体管的源极均与所述隧道结的第一端电连接；所述隧道结的第二端与所述位线电连接；所述位线沿第一方向延伸；

各所述存取晶体管对应的有源区相互隔离；各所述存取晶体管对应的有源区的长边延伸方向相同，且所述有源区的长边延伸方向与所述第一方向具有第一夹角θ；其中，θ为非直角。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，四个所述存取晶体管包括第一存取晶体管、第二存取晶体管、第三存取晶体管和第四存取晶体管；所述第一存取晶体管的有源区的长边与所述第二存取晶体管的有源区的长边相对设置，且所述第三存取晶体管的有源区和所述第四存取晶体管的有源区位于所述第一存取晶体管的有源区与所述第二存取晶体管的有源区之间；所述第三存取晶体管的有源区的短边与所述第四存取晶体管的有源区的短边相对设置。

3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，四个所述存取晶体管包括第一存取晶体管、第二存取晶体管、第三存取晶体管和第四存取晶体管；

所述隧道结在各所述存取晶体管的有源区所在膜层的正投影至少覆盖所述第一存取晶体管的有源区和所述第二存取晶体管的有源区之间的至少部分区域，且至少覆盖所述第三存取晶体管的有源区和所述第四存取晶体管的有源区之间的至少部分区域。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：至少一条字线和至少一条源极线；所述字线沿第二方向延伸；其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；

所述存取晶体管还包括沟道区和漏极，且所述源极和所述漏极分别位于所述沟道区相对的两侧；

各所述存取晶体管的栅极与所述字线电连接；

各所述存取晶体管的漏极与所述源极线电连接。

5.根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述至少一条字线包括第一字线、第二字线和第三字线；所述第一字线、所述第二字线以及所述第三字线沿所述第一方向依次排列；

四个所述存取晶体管包括第一存取晶体管、第二存取晶体管、第三存取晶体管和第四存取晶体管；

所述第三存取晶体管的栅极与所述第一字线电连接；

所述第一存取晶体管的栅极和所述第二存取晶体管的栅极均与所述第二字线电连接；

所述第四存取晶体管的栅极与所述第三字线电连接。

6.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于：

所述第一字线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第一存取晶体管的有源区和所述第三存取晶体管的有源区具有交叠；

所述第二字线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第一存取晶体管的有源区和所述第二存取晶体管的有源区具有交叠；

所述第三字线在各所述存取晶体管的有源区正投影与所述第四存取晶体管的有源区和所述第二存取晶体管的有源区具有交叠。

7.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述至少一条源极线包括第一源极线、第二源极线和第三源极线；所述第一源极线、所述第二源极线以及所述第三源极线沿所述第一方向依次排列，且各所述源极线的延伸方向相同；

所述第三存取晶体管的漏极与所述第一源极线电连接；

所述第一存取晶体管的漏极和所述第二存取晶体管的漏极均与所述第二源极线电连接；

所述第四存取晶体管的漏极与所述第三源极线电连接。

8.根据权利要求7所述的存储单元，其特征在于：

所述第一源极线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第三存取晶体管的漏极具有交叠；

所述第二源极线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第一存取晶体管的漏极和所述第二存取晶体管的漏极均具有交叠；且所述第二源极线在各所述存取晶体管的有源区所在膜层的正投影还与所述隧道结在各所述存取晶体管的有源区所在膜层的正投影具有交叠；

所述第三源极线在各所述存取晶体管的有源区的正投影与所述第四存取晶体管的漏极具有交叠。