[实用新型]一种用于半导体引线键合的改进型基座有效
| 申请号: | 202020992194.9 | 申请日: | 2020-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN212113667U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
| 发明(设计)人: | 顾斌杰 | 申请(专利权)人: | 江苏圣创半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/607 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 半导体 引线 改进型 基座 | ||
本实用新型公开了一种用于半导体引线键合的改进型基座,包括基座本体,基座本体的上端设有三级台阶面,三级台阶面所在座体由左到右依次为传动高位座、框架压合座和导向低位座,传动高位座开设有丝杆驱动槽,导向低位座开设有导向孔,框架压合座的右端固定有靠板,传动高位座穿设有两根滑杆,两根滑杆的内端共同固定有第一活动压板,外端共同固定有推板,推板的中部螺接有第一螺杆;框架压合座前后侧对称固定有支撑板,支撑板螺接有第二螺杆,第二螺杆连接有第二活动压板。本实用新型功能区划分科学,利于基座本体竖直位移的同时,能够对不同规格的框架提供有效夹持;另外橡胶条安装方便,当其磨损严重时便于快速拆卸更换。
技术领域
本实用新型引线键合技术领域,尤其涉及一种用于半导体引线键合的改进型基座。
背景技术
半导体功率器件正在向着高度集成的方向发展,因此越来越多的半导体功率器件中芯片需要与引线框架进行键合。现有技术中一般采用引线键合机将芯片的电极与引线框架的引脚进行键合,即引线键合机中的超声波发生器产生高频信号,由换能系统将高频信号转换为高频机械振动,在一定时间内将芯片的电极与引线框架的引脚键合形成共同结晶。目前用于承载引线框架的基块均为金属基座,金属基座的键合区域用于承载引线框架,当引线框架在其上发生高频机械振动时,往往使得引线框架在金属基座上发生震动位置偏移,进而使得键合后的结晶外观毛刺较多,影响键合的质量。
为此,公开号为CN203721685U的专利说明书中公开了一种引线键合机及其金属基座,其中金属基座,设置于引线键合机中用于承载引线框架,包括第一分座和第二分座,第一分座和第二分座的键合区域内均开设有容置槽,且容置槽内部镶嵌有橡胶垫。如此设置,引线框架则直接与橡胶垫接触,当引线框架发生高频机械振动时,引线框架与金属基座之间的震动会被橡胶垫吸收,从而可以避免引线框架在金属基座上发生位置偏移而影响键合质量。
但是这种引线键合机的金属基座存在不足之处,一是其胶垫磨损后,会与框架之间产生间隙,夹持效果差,二是不能为不同规格的框架提供有效夹持,进而无法实现吸收震动功能。因此,需要对引线键合机的金属基座进行优化改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服传统技术中存在的上述问题,提供一种用于半导体引线键合的改进型基座。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型是通过以下技术方案实现:
一种用于半导体引线键合的改进型基座,包括基座本体,所述基座本体的上端设有三级台阶面,三级台阶面所在座体由左到右依次为传动高位座、框架压合座和导向低位座,所述传动高位座的中部向内开设有与传动丝杆配合的丝杆驱动槽,所述导向低位座的上端向内对称开设有导向孔,所述框架压合座的右端固定有靠板,所述导向低位座的上端与靠板之间设有若干加强筋板,所述传动高位座高于框架压合座的部分穿设有两根滑杆,两根所述滑杆并排分布在丝杆驱动槽的两侧,两根所述滑杆的内端共同固定有第一活动压板,外端共同固定有推板,所述推板的中部螺接有第一螺杆,所述第一螺杆的内端转动限制在传动高位座中;所述框架压合座的上端前后侧对称固定有支撑板,所述支撑板中螺接有第二螺杆,所述第二螺杆的内端转动限制在第二活动压板中,所述第二活动压板的左端设有滑块,所述传动高位座高于框架压合座的部分右端面对称开设有与滑块配合的滑槽。
进一步地,上述用于半导体引线键合的改进型基座中,所述靠板、第一活动压板、第二活动压板各自的外侧设有能够拆卸更换的橡胶条。
进一步地,上述用于半导体引线键合的改进型基座中,所述靠板、第一活动压板、第二活动压板各自的外侧设有卡槽,所述橡胶条的外端为平面,内端设有与卡槽配合的凸起,所述橡胶条的凸起能够从侧向卡入至所在板体中。
进一步地,上述用于半导体引线键合的改进型基座中,所述靠板、第一活动压板、第二活动压板的上端面均与传动高位座的上端面平齐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





