[实用新型]一种驱动电路、升压电路以及空调器

说明书

本实用新型提供了一种MOS管驱动电路、升压电路以及空调器，涉及晶体管驱动技术领域。该MOS管驱动电路包括SiC MOS管、驱动芯片以及驱动器件，驱动芯片的第一引脚通过驱动器件与MOS管的栅极电连接，驱动芯片的第二引脚也与MOS管的栅极电连接；其中，驱动芯片用于通过第一引脚输出高电平，以驱动MOS管导通；驱动芯片还用于通过第二引脚输出低电平，以驱动MOS管关断，且驱动芯片的第二引脚接地，以对MOS管的栅极电压进行钳位。本实用新型提供的MOS管驱动电路、升压电路以及空调器不易出现击穿或误导通的情况。

技术领域

本实用新型涉及晶体管驱动技术领域，具体而言，涉及一种驱动电路、升压电路以及空调器。

背景技术

目前空调上，PFC(Power Factor Correction，功率因数校正)电路使用Si IGBT作为开关管，但随着新材料SiC器件的发展，SiC MOSFET的应用已较为常见。SiC MOSFET与SiIGBT相比，前者具有的高耐压、低阻抗、高频性、低损耗、耐高温等特性，明显优于Si IGBT，因此SiC MOSFET代替Si IGBT，在空调上应用将成为未来的趋势。

然而，当进行高频工作时，SiC MOSFET的导通与关断容易在栅极出产生电流电压尖峰和震荡，使得SiC MOSFET栅极电压过高，进而导致MOS管击穿或误导通。

综上所述，SiC MOSFET在高频工作时容易出现击穿或误导通的情况。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是SiC MOSFET在高频工作时容易出现击穿或误导通的情况。

为解决上述问题，第一方面，本申请提供了一种MOS管驱动电路，所述MOS管驱动电路包括SiC MOS管、驱动芯片以及驱动器件，所述驱动芯片的第一引脚通过所述驱动器件与所述MOS管的栅极电连接，所述驱动芯片的第二引脚也与所述MOS管的栅极电连接；其中，所述驱动芯片用于通过所述第一引脚输出高电平，以驱动所述MOS管导通；所述驱动芯片还用于通过所述第二引脚输出低电平，以驱动所述MOS管关断，且所述驱动芯片的第二引脚接地，以对所述MOS管的栅极电压进行钳位。

由于驱动芯片的第二引脚接地，进而MOS管处于关断状态时，驱动芯片的第二引脚能够对MOS管的栅极电压进行钳位，使其连接到地，避免了在栅极处产生电流电压尖峰和震荡，使MOS管不易出现击穿或误导通的情况。

进一步地，所述驱动器件包括第一电阻，所述第一电阻的一端与所述驱动芯片的第一引脚电连接，所述第一电阻的另一端与所述MOS管的栅极电连接。

由于本申请的驱动器件仅包含的电阻，因此其电路结构简单且成本较低，在进行线路布局时，线路可以做到较短，进而减少了寄生电感，电路的稳定性更强。

进一步地，所述驱动电路还包括防震荡模块，所述防震荡模块分别与所述MOS管的源极与栅极电连接。

通过驱动芯片的钳位功能，能够避免MOS管的栅极电压震荡，而通过设置防震荡模块，能够进一步的降低MOS管的栅极电压震荡，其降低震荡的效果更好。

进一步地，所述防震荡模块包括防震荡电容。

所述驱动芯片的型号包括BM61S41RFV。

进一步地，所述MOS管驱动电路还包括第二电阻，所述第二电阻的两端分别与所述MOS管的栅极、源极电连接。

进一步地，所述MOS管驱动电路还包括稳压管，所述稳压管的阳极与所述MOS管的源极电连接，所述稳压管的阴极与所述MOS管的栅极电连接。