[实用新型]单向TVS半导体器件

说明书

本实用新型公开一种单向TVS半导体器件，包括二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆于二极管芯片、金属基座和引线架上，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且其焊接区通过焊锡层与二极管芯片另一极电连接，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端分别为第一引脚部、第二引脚部，此第一引脚部、第二引脚部均从环氧封装层内延伸出；所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，也更有利于快速带走热量。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种单向TVS半导体器件。

背景技术

贴片式二极管器件是一种具有单向传导电流的电子器件，在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性，广泛用于电子产品和通信等方面。一般来讲，贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性，而目前很多的贴片二极管的体积较大，因而不能满足市场上对于小型化和薄型化需求，同时，散热性能也不佳。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种单向TVS半导体器件，该单向TVS半导体器件既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种单向TVS半导体器件，包括二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆于二极管芯片、金属基座和引线架上，所述金属基座位于二极管芯片的正下方并且位于其上端的支撑部通过焊锡层与二极管芯片一极电连接，位于金属基座下端的引脚区部从环氧封装层内延伸出，所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所述横金属板的中央具有一焊接区，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且其焊接区通过焊锡层与二极管芯片另一极电连接，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端分别为第一引脚部、第二引脚部，此第一引脚部、第二引脚部均从环氧封装层内延伸出；

所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有2个第二凹槽。

2. 上述方案中，所述金属基座从环氧封装层的底表面延伸出。

3. 上述方案中，所述金属基座的引脚区部与引线架的第二引脚部占环氧封装层的底表面的面积比为10：2~5。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型单向TVS半导体器件，其金属基座位于二极管芯片的正下方并且位于其上端的支撑部通过焊锡层与二极管芯片一极电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出，所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且与二极管芯片另一极电连接，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端为第二引脚部，此第二引脚部从环氧封装层内延伸出，既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。