[实用新型]单向TVS半导体器件

权利要求书

1.一种单向TVS半导体器件，其特征在于：包括二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3），一环氧封装层（4）包覆于二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3）上，所述金属基座（2）位于二极管芯片（1）的正下方并且位于其上端的支撑部（21）通过焊锡层（5）与二极管芯片（1）一极电连接，位于金属基座（2）下端的引脚区部（22）从环氧封装层（4）内延伸出，所述引线架（3）进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的第一竖金属板（7）和第二竖金属板（8），所述横金属板（6）的中央具有一焊接区（61），所述引线架（3）的横金属板（6）位于二极管芯片（1）的正上方且其焊接区（61）通过焊锡层（5）与二极管芯片（1）另一极电连接，所述第一竖金属板（7）和第二竖金属板（8）各自与横金属板（6）相背的一端分别为第一引脚部（91）、第二引脚部（92），此第一引脚部（91）、第二引脚部（92）均从环氧封装层（4）内延伸出；

所述环氧封装层（4）的下表面且位于2个所述第二引脚部（92）左右侧均开有至少一个第一凹槽（10），所述环氧封装层（4）的下表面且位于第一引脚部（91）前后侧均开有至少一个第二凹槽（11）。

2.根据权利要求1所述的单向TVS半导体器件，其特征在于：所述金属基座（2）从环氧封装层（4）的底表面延伸出。

3.根据权利要求1所述的单向TVS半导体器件，其特征在于：所述金属基座（2）的引脚区部（22）与引线架（3）的第二引脚部（92）占环氧封装层（4）的底表面的面积比为10：2~5。

4.根据权利要求1所述的单向TVS半导体器件，其特征在于：所述环氧封装层（4）的下表面且位于第一引脚部（91）前后侧均开有2个第二凹槽（11）。