[实用新型]利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置有效

专利信息
申请号: 202020633471.7 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN211702499U 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 庄唯鑫 申请(专利权)人: 庄唯鑫
主分类号: H05B47/10 分类号: H05B47/10
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 朱颖;刘芳
地址: 中国台湾彰化县溪*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 利用 切换 电路 发光 功率 上限 可携式 装置
【权利要求书】:

1.一种利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,受操作地在第一极限功率模式与第二极限功率模式中的一者下发光,其特征在于,包含:

储电模块,存储有蓄电电能;

用以受操作地在所述第一极限功率模式与所述第二极限功率模式之间进行切换的切换模块,包含轻触开关TK与电容C1,所述轻触开关TK电性连接所述电容C1;

用以在切换至所述第一极限功率模式时产生第一控制信号,在切换至所述第二极限功率模式时产生第二控制信号的控制模块,电性连接所述切换模块,并包含可变电阻VR、开关SW与主控芯片U1,所述开关SW电性连接所述可变电阻VR与所述轻触开关TK并接地,所述开关SW与可变电阻VR电性连接所述电容C1,所述主控芯片U1电性连接所述电容C1与所述轻触开关TK;

用以在所述第一极限功率模式导通第一阻抗电路以及在所述第二极限功率模式导通第二阻抗电路的功率选择模块,电性连接所述控制模块,并包含NPN型双极性晶体管Q1、电阻R1与电阻R5,所述NPN型双极性晶体管Q1的基极B至集极C形成所述第一阻抗电路,所述NPN型双极性晶体管Q1的基极B至射极E形成所述第二阻抗电路,所述电阻R1的一端串联所述NPN型双极性晶体管Q1的所述基极B,所述电阻R1电性连接所述主控芯片U1,所述电阻R5串联所述NPN型双极性晶体管Q1的所述集极C与所述可变电阻VR;以及

用以在所述第一极限功率模式下产生一具有第一功率的第一光束以及在所述第二极限功率模式下产生一具有第二功率的第二光束的发光模块,电性连接所述功率选择模块,包含主控芯片U2、电阻R3、多个限流电阻、电容C2、发光二极管J1与发光二极管J2,所述电阻R3并联所述电容C2,所述电容C2电性连接所述主控芯片U2,所述多个限流电阻电性连接所述主控芯片U2与所述发光二极管J2;

其中,所述可变电阻VR在所述第一极限功率模式下受操作地自零至第一极限功率所构成的第一功率调整范围内调整所述第一功率以及在所述第二极限功率模式下受操作地自零至第二极限功率所构成的第二功率调整范围内调整所述第二功率,所述第二极限功率大于所述第一极限功率,且所述第一阻抗电路的第一阻抗大于所述第二阻抗电路的第二阻抗。

2.根据权利要求1所述的利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,其特征在于,所述主控芯片U1的型号为TM57MA8SOP-8主控芯片。

3.根据权利要求1所述的利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,其特征在于,所述控制模块包含亮度调整单元,且所述亮度调整单元包含旋钮。

4.根据权利要求1所述的利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,其特征在于,所述主控芯片U2的型号为MTA7D0P02V8-DFN3*3的P-MOSFET主控芯片。

5.根据权利要求1所述的利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,其特征在于,所述NPN型双极性晶体管的型号为NPNBTC2411SOT-23。

6.根据权利要求1所述的利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,其特征在于,所述多个限流电阻包含电阻R2、电阻R4、电阻R7与电阻R8,且所述电阻R2、所述电阻R4、所述电阻R7与所述电阻R8彼此并联。

7.根据权利要求1所述的利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,其特征在于,所述主控芯片U1的引脚U12与引脚U18电性连接所述电容C1,所述主控芯片U1的引脚U14电性连接所述轻触开关TK,所述主控芯片U1的引脚U13串联所述电阻R1。

8.根据权利要求1所述的利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,其特征在于,所述主控芯片U2的引脚U21、引脚U22、引脚U23与引脚U24电性连接所述电容C2,所述主控芯片U2的引脚U25、引脚U26、引脚U27与引脚U28电性连接所述多个限流电阻。

9.根据权利要求1所述的利用切换电路切换发光功率上限的可携式发光装置,其特征在于,所述储电模块包含至少一充电电池。

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