[实用新型]VOC光催化处理系统

权利要求书

1.一种VOC光催化处理系统，包括催化处理装置、沉淀装置及催化剂再生装置，所述催化处理装置和所述催化剂再生装置安装于所述沉淀装置的上方并相互间隔，所述沉淀装置被分隔成位于所述催化处理装置下方的第一沉淀区、位于所述催化剂再生装置下方的第二沉淀区以及位于所述第一沉淀区和所述第二沉淀区之间的澄清区，所述第一沉淀区通过管路与所述催化剂再生装置连接，所述澄清区通过管路分别与所述催化处理装置和所述催化剂再生装置连接，所述第二沉淀区通过管路与所述催化处理装置连接，所述催化处理装置底部设有与所述沉淀装置相连通的第一开口且所述第一开口正对所述第一沉淀区设置，所述催化剂再生装置底部设有与所述沉淀装置相连通的第二开口且所述第二开口正对所述第二沉淀区设置，废气自所述催化处理装置进入，由所述催化剂再生装置排出，其特征在于，所述VOC光催化处理系统还包括设于所述第一开口远离所述第二开口一侧的第一引流板和设于所述第二开口远离所述第一开口一侧的第二引流板，所述第一引流板包括固定于所述第一开口一侧边缘并向所述第一沉淀区垂直延伸的第一直流板、自所述第一直流板末端向靠近所述第一开口的中轴线方向倾斜延伸的第一倾斜板以及自所述第一倾斜板末端向所述第一沉淀区底部垂直延伸的第二直流板，所述第二引流板包括固定于所述第二开口一侧边缘并向所述第二沉淀区垂直延伸的第三直流板、自所述第三直流板末端向靠近所述第二开口的中轴线方向倾斜延伸的第二倾斜板以及自所述第二倾斜板末端向所述第二沉淀区底部垂直延伸的第四直流板。

2.根据权利要求1所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述第一引流板和所述第二引流板关于所述澄清区对称设置。

3.根据权利要求1所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述第一沉淀区和第二沉淀区的体积均大于所述澄清区的体积。

4.根据权利要求1或2所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述沉淀装置包括顶壁、与所述顶壁相对设置的底壁、连接所述顶壁和所述底壁的侧壁以及固定于所述底壁并相互间隔设置的两个隔板，所述顶壁、所述底壁及所述侧壁配合形成容纳空间，所述隔板的高度小于所述侧壁的高度，两个所述隔板将所述容纳空间分隔形成所述第一沉淀区、所述澄清区和所述第二沉淀区，所述催化处理装置和所述催化剂再生装置安装于所述顶壁。

5.根据权利要求4所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述第一倾斜板在所述隔板上的正投影部分超出所述隔板，所述第二倾斜板在所述隔板上的正投影部分超出所述隔板。

6.根据权利要求4所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述侧壁对应所述第一沉淀区的位置开设有第一出液孔，对应所述澄清区的位置开设有第二出液孔，对应所述第二沉淀区的位置开设有第三出液孔，所述第一出液孔、第二出液孔及所述第三出液孔均设置于所述侧壁底部位置，所述第一出液孔通过管路与所述催化剂再生装置连接，所述第二出液孔通过管路分别与所述催化处理装置和所述催化剂再生装置连接，所述第三出液孔通过管路与所述催化处理装置连接。

7.根据权利要求6所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述侧壁对应所述第一沉淀区的位置还开设有清液循环口，所述清液循环口的设置高度略低于所述隔板的高度。

8.根据权利要求6所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述催化处理装置包括具有进气口的第一壳体、收容于所述第一壳体内的第一喷嘴及与所述第一喷嘴间隔设置的催化光源，废气由所述进气口进入，所述第一喷嘴通过管路与所述第二出液孔和第三出液孔连通，用于淋喷处理液，所述处理液中包括催化剂。

9.根据权利要求8所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述第一喷嘴的设置方向与气体的运动方向相反，所述催化剂为TiO₂。

10.根据权利要求6所述的VOC光催化处理系统，其特征在于，所述催化剂再生装置包括具有出气口的第二壳体、收容于所述第二壳体内的第二喷嘴、设于所述第二喷嘴下方的填料层、环设于所述填料层周围的微波装置、固定于所述第二壳体靠近所述出气口一端的除雾层以及固定于所述第二壳体靠近所述沉淀装置一端的机械挡板，所述第二喷嘴及所填料层位于所述除雾层和所述机械挡板之间，处理后的气体由所述出气口排出，所述第二喷嘴通过管路与所述第一出液孔连通，且所述第二喷嘴的朝向与气体的运动方向相反。