[实用新型]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中包括沿着第一预定方向延伸的多个字线沟槽；

多条字线结构，位于所述字线沟槽中且填充部分深度的字线沟槽；以及，

多个遮蔽图案，位于所述衬底上，至少部分遮蔽图案位于所述字线结构上且延伸至填充剩余深度的字线沟槽。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述至少部分遮蔽图案中形成有沿深度方向延伸的第一气隙。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述遮蔽图案包括第一膜层、第二膜层及第三膜层，其中，所述第一膜层至少覆盖剩余深度的字线沟槽的侧壁，所述第二膜层及所述第三膜层顺次堆叠以填充剩余深度的字线沟槽并延伸至高于所述字线沟槽的顶部。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第二膜层填充剩余深度的字线沟槽的内壁，所述第三膜层遮盖所述字线沟槽的开口，以使所述第三膜层的下表面与所述第二膜层的上表面之间的间隙构成所述第一气隙。

5.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第二膜层填充剩余深度的字线沟槽并延伸至高于所述字线沟槽的顶部，所述第三膜层覆盖所述第二膜层，所述第一气隙位于剩余深度的字线沟槽中的第二膜层中。

6.如权利要求4或5所述的存储器，其特征在于，在深度方向上，所述第二膜层的厚度大于所述第三膜层的厚度。

7.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一膜层和所述第三膜层的材质均包括氧化硅，所述第二膜层的材质包括氮化硅。

8.如权利要求1-5中任一项所述的存储器，其特征在于，还包括：

多条隔离柱，位于所述衬底上且沿第二预定方向延伸，所述至少部分遮蔽图案中的每个图案均位于所述隔离柱与所述字线结构之间。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述至少部分遮蔽图案中的每个图案的表面沿靠近所述衬底的方向凹陷，以使每个图案与所述隔离柱之间具有沿深度方向延伸的第二气隙。

10.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，还包括：

多条位线结构，沿着所述第二预定方向延伸，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，自所述衬底上延伸至所述衬底中的部分构成第二位线结构，剩余的遮蔽图案位于每个所述第一位线结构与所述衬底之间。

11.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，在垂直于深度方向上，所述至少部分遮蔽图案中每个图案的宽度尺寸大于所述字线沟槽的宽度尺寸。