[实用新型]LED集成封装结构及显示器有效
| 申请号: | 202020544313.4 | 申请日: | 2020-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN212209495U | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
| 发明(设计)人: | 李漫铁;周杰;罗国华;王旭东 | 申请(专利权)人: | 惠州雷曼光电科技有限公司;深圳雷曼光电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/62;G09F9/33 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄鸿华 |
| 地址: | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | led 集成 封装 结构 显示器 | ||
本申请涉及一种LED集成封装结构及显示器,上述LED集成封装结构包括基板、焊盘、像素点、黑色遮蔽层及封装胶层;基板包括正面,正面朝向显示方向设置;焊盘设置于基板的正面;像素点设置于焊盘并电连接焊盘;黑色遮蔽层沿像素点的侧面分散设置并覆盖焊盘;封装胶层设置于基板的正面并覆盖焊盘、像素点及黑色遮蔽层。上述的LED集成封装结构中,通过采用黑色遮蔽层遮挡焊盘,利用黑色的光学特性吸收射入的光线,从而避免焊盘因其本身的金属材质反光,防止影响像素点的发光效果,提高显示时的对比度。
技术领域
本实用新型涉及LED封装技术领域,特别是涉及一种LED集成封装结构及显示器。
背景技术
LED集成封装显示产品的一种封装方式是应用了COB(Chip On Board,板上芯片)COB封装技术。采用了COB光源的LED显示产品具有节约空间、易于实现小间距的优点。但是,COB光源的结构中,当外部光线射入时,由于焊盘、金线、芯片会反光,从而使显示时的对比度差。
对于上述问题,传统的解决方法有两种。
如图1所示,第一种方法是在封装胶水固化后,在封装胶层A1上整面贴膜。贴膜一般为偏黑色的光学膜A2。这种处理方法,在后续维修时,不方便拆装LED芯片A3,且光学膜A2容易因老化而剥离、开裂和泛黄,最终影响COB光源的发光效果。另外,光学膜A2颜色如果过黑,会降低光源透光率,造成亮度损失。如提升亮度,需采用更高亮度的LED芯片,导致成本的增加。如果光学膜A2颜色太浅,则显示时的对比度差。
如图2所示,第二种方法是在封装胶水中添加黑剂,封装胶水固化形成黑色的封装胶层B1。这种方法虽然改善了显示效果的对比度,但是同样会降低了光源的透光率,造成亮度损失。如提升亮度,需采用更高亮度的LED芯片B2,导致成本的增加。另外,因封装胶水固化后的胶体厚度的差异,这种方法反而使胶体整体的颜色一致性差。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有的LED集成封装结构的显示效果中对比度差的问题,提供一种LED集成封装结构及显示器。
一种LED集成封装结构,其包括基板、焊盘、像素点、黑色遮蔽层及封装胶层;
所述基板包括正面,所述正面朝向显示方向设置;
所述焊盘设置于所述基板的正面;
所述像素点设置于所述焊盘并电连接所述焊盘;
所述黑色遮蔽层沿所述像素点的侧面分散设置并覆盖所述焊盘;
所述封装胶层设置于所述基板的正面并覆盖所述焊盘、所述像素点及所述黑色遮蔽层。
在其中一个实施例中,所述黑色遮蔽层的厚度小于所述LED芯片的厚度。通过将黑色遮蔽层的厚度设置为小于LED芯片的厚度,防止黑色遮蔽层遮挡LED芯片,避免影响LED芯片的发光效果。
在其中一个实施例中,所述封装胶层的厚度大于所述LED芯片的厚度。通过将封装胶层的厚度设置为大于LED芯片的厚度,使LED芯片完全封闭于封装胶层内,隔绝外界空气,防止氧化,延长LED芯片的使用寿命。
在其中一个实施例中,所述像素点的数量为多个,所述焊盘的数量对应所述像素点的数量,以使每一所述像素点设置于相应的所述焊盘。
在其中一个实施例中,所述黑色遮蔽层的表面积为所述基板的正面的表面积的20%~90%。
在其中一个实施例中,所述焊盘的横截面积大于所述像素点的横截面积。通过设置较大面积的焊盘,通过焊盘的金属材质导热,提高像素点的散热效率。
在其中一个实施例中,所述封装胶层为无色透光层或黑色透光层。通过将封装胶层设置为无色透光层,从而提高LED的透光率。或者将封装胶层设置为黑色透光层,辅助遮挡焊盘等金属材质的反光,提高显示时的对比度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





