[实用新型]便于后续加工的GaN器件晶圆结构有效
| 申请号： | 202020472201.2 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN211350655U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘春利 | 申请（专利权）人： | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 唐玲玲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 便于 后续 加工 gan 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种便于后续加工的GaN器件晶圆结构，其特征在于，包括GaN器件晶圆，在所述GaN器件晶圆的边缘进行刻蚀到衬底或基板使得所述GaN器件晶圆的功能层的边缘为圆形，在所述衬底或基板上覆盖一圈保护介质，所述保护介质构成边缘刻蚀后的所述GaN器件晶圆的保护环。
2.根据权利要求1所述的便于后续加工的GaN器件晶圆结构，其特征在于，所述保护介质为SiNx、SiO2、树脂中任一种。
3.根据权利要求1所述的便于后续加工的GaN器件晶圆结构，其特征在于，所述保护环为圆环。
4.根据权利要求3所述的便于后续加工的GaN器件晶圆结构，其特征在于，所述保护环的宽度为1um-10um。
5.根据权利要求1-4任一项所述的便于后续加工的GaN器件晶圆结构，其特征在于，所述保护介质的上表面与所述GaN器件晶圆的上表面基本齐平。
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