[实用新型]一种半导体集成电路卡有效

专利信息
申请号: 202020421842.5 申请日: 2020-03-28
公开(公告)号: CN211375640U 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 苏镇顺 申请(专利权)人: 深圳市东联发科技有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518116 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 集成 路卡
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路卡,包括卡体(1)、支撑条(2)和上卡条(3),其特征在于:所述卡体(1)的右端与支撑条(2)的左侧插接,所述支撑条(2)的右端与支撑条(2)的顶部左侧活动连接,所述上卡条(3)的左端活动连接有第一限位条(4),所述第一限位条(4)的正面螺纹连接有拧柱(5),所述第一限位条(4)的背面设有第二限位条(6),所述第二限位条(6)的底端活动连接有下卡条(7),所述下卡条(7)的右端与支撑条(2)的底部左侧活动连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述第二限位条(6)的正面与拧柱(5)的后端螺纹连接,所述拧柱(5)延伸至第二限位条(6)的内部。

3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述卡体(1)的正面粘接有第一防护层(8),所述卡体(1)的背面粘接有第二防护层(9)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述第二防护层(9)和第一防护层(8)为聚乙烯薄膜层。

5.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述第一防护层(8)的正面蒸镀有第一隔绝层(10),所述第一隔绝层(10)为氧化硅和二氧化钛混合蒸镀层。

6.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述第二防护层(9)的背面蒸镀有第二隔绝层(11),所述第二隔绝层(11)为氧化硅和二氧化钛混合蒸镀层。

7.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述下卡条(7)、第二限位条(6)、第一限位条(4)、上卡条(3)和支撑条(2)为玻璃增强PET。

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