[实用新型]一种半导体集成电路卡有效
| 申请号: | 202020421842.5 | 申请日: | 2020-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN211375640U | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
| 发明(设计)人: | 苏镇顺 | 申请(专利权)人: | 深圳市东联发科技有限公司 |
| 主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518116 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 集成 路卡 | ||
1.一种半导体集成电路卡,包括卡体(1)、支撑条(2)和上卡条(3),其特征在于:所述卡体(1)的右端与支撑条(2)的左侧插接,所述支撑条(2)的右端与支撑条(2)的顶部左侧活动连接,所述上卡条(3)的左端活动连接有第一限位条(4),所述第一限位条(4)的正面螺纹连接有拧柱(5),所述第一限位条(4)的背面设有第二限位条(6),所述第二限位条(6)的底端活动连接有下卡条(7),所述下卡条(7)的右端与支撑条(2)的底部左侧活动连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述第二限位条(6)的正面与拧柱(5)的后端螺纹连接,所述拧柱(5)延伸至第二限位条(6)的内部。
3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述卡体(1)的正面粘接有第一防护层(8),所述卡体(1)的背面粘接有第二防护层(9)。
4.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述第二防护层(9)和第一防护层(8)为聚乙烯薄膜层。
5.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述第一防护层(8)的正面蒸镀有第一隔绝层(10),所述第一隔绝层(10)为氧化硅和二氧化钛混合蒸镀层。
6.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述第二防护层(9)的背面蒸镀有第二隔绝层(11),所述第二隔绝层(11)为氧化硅和二氧化钛混合蒸镀层。
7.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路卡,其特征在于:所述下卡条(7)、第二限位条(6)、第一限位条(4)、上卡条(3)和支撑条(2)为玻璃增强PET。
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